[发明专利]IGBT故障检测电路有效

专利信息
申请号: 201210446218.0 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN103033732A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 王剑平;余琳;江婷婷;黄康;王海军;盖玲 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R19/165
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: igbt 故障 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种IGBT故障检测电路,其特征在于:包括IGBT损坏检测电路、IGBT过流检测电路、IGBT过压检测电路、信号反馈电路;IGBT损坏检测电路的两个检测端分别与被检测的IGBT的集电极和发射极相连;IGBT过流检测电路的两个检测端分别与被检测的IGBT的集电极和发射极相连;IGBT过压检测电路的两个检测端分别与被检测的IGBT的集电极和发射极相连;IGBT损坏检测电路的过流检测信号输出端与信号反馈电路的第一个输入端相连;IGBT过流检测电路的损坏检测信号输出端与信号反馈电路的第二个输入端相连,IGBT过压检测电路的损坏检测信号输出端与信号反馈电路的第三个输入端相连;IGBT损坏检测电路的一端同时与IGBT过流检测电路的一端和IGBT过压检测电路的一端相连,IGBT损坏检测电路的另一端同时与IGBT过流检测电路的另一端和IGBT过压检测电路的另一端相连。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT故障检测电路,其特征在于:所述的IGBT损坏检测电路,包括第1~4个快速恢复二极管VD1、VD2、VD3、VD4,第1个锗二极管D1,第1~3个稳压二极管VS1、VS2、VS3,第1~3个电容C1、C2、C3,第1~4个电阻R1、R2、R3、R4,第1个电压比较器U1,15V电源和-15V电源;第2个快速恢复二极管VD2的负极与被检测的IGBT集电极相连,同时与IGBT过流检测电路的一端和IGBT过压检测电路的一端相连,第4个快速恢复二极管VD4的负极与被检测的IGBT发射极相连,同时与IGBT过流检测电路的另一端和IGBT过压检测电路的另一端相连;第1个电压比较器U1的2脚与信号反馈电路的第一个输入端相连。

3.根据权利要求1所述的IGBT故障检测电路,其特征在于:所述的IGBT过流检测电路,包括第5~8个快速恢复二极管VD5、VD6、VD7、VD8,第4~5个稳压二极管VS4、VS5,第4~6个电容C4、C5、C6,第5~10个电阻R5、R6、R7、R8、R9、R10,第2~3个电压比较器U2、U3,异或非门U4,第2个锗二极管D2,15V电源和-15V电源;第6个快速恢复二极管VD6的负极与被检测的IGBT集电极相连,同时与IGBT损坏检测电路的一端和IGBT过压检测电路的一端相连,第8个快速恢复二极管VD8的负极与被检测的IGBT发射极相连,同时与IGBT损坏检测电路的另一端和IGBT过压检测电路的另一端相连;异或非门U4的3脚与信号反馈电路的第二个输入端相连。

4.根据权利要求1所述的IGBT故障检测电路,其特征在于:所述的IGBT过压检测电路,包括雪崩二极管VA1,第3个锗二极管D3,第6个稳压二极管VS6,第7~9个电容C7、C8、C9,第11~14个电阻R11、R12、R13、R14,第4个电压比较器U5,非门U6,15V电源和-15V电源;雪崩二极管VA1的负极与被检测的IGBT集电极相连,同时与IGBT损坏检测电路的一端和IGBT过流检测电路的一端相连,第3个D3的负极与被检测的IGBT发射极相连,同时与IGBT损坏检测电路的另一端和IGBT过流检测电路的另一端相连;非门U6的2脚与信号反馈电路的第三个输入端相连。

5.根据权利要求1所述的一种IGBT故障检测电路,其特征在于:所述的信号反馈电路IGBT,包括第7个稳压二极管VS7,第10~11个电容C10、 C11,第15~20个电阻R15、R16、R17、R18、R19、R20,三输入与非门U7,光纤发光头U8,光纤收光头U9,高速光耦U10,三极管Q1,15V电源和-15V电源;三输入与非门U7的1脚为信号反馈电路的第一个输入端,与IGBT损坏检测电路的电压比较器U1的2脚相连;三输入与非门U7的2脚为信号反馈电路的第二个输入端,与IGBT过流检测电路的异或非门U4的3脚相连;三输入与非门U7的13脚为信号反馈电路的第三个输入端,与IGBT过压检测电路的非门U6的2脚相连;光纤发光头U8和光纤收光头U9通过光纤相连;高速光耦U10的6脚是反馈信号输出端。

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