[发明专利]基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法

权利要求书

1. 一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法，其特征在于该方法的步骤如下： 

1). 将聚二甲基硅氧烷薄膜紧贴在玻璃基片上，把高分子微纳光纤放置在聚二甲基硅氧烷薄膜上面；

2). 用电加热器从下面加热聚二甲基硅氧烷层到压印温度，压印温度超过高分子微纳光纤的玻璃化转变温度；

3). 使用一块标准的商用平面反射型光栅作为模版，通过施加力在模版上，将光栅图案压印到高分子微纳光纤上；

4). 经过压印后，关闭加热器，当玻璃基片冷却到常温时取下模版，这时，在高分子微纳光纤的表面上已经压印了布拉格光栅结构。

2. 根据权利要求1所述的一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法，其特征在于：所述聚二甲基硅氧烷薄膜宽度为50 μm～10 mm，厚度为50μm。

3. 根据权利要求1所述的一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法，其特征在于：所述施加力为0.05 N～0.5 N。

4. 根据权利要求1所述的一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法，其特征在于：所述压印时间为30 s～60 s。

5.根据权利要求1所述的一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法，其特征在于：所述高分子微纳光纤直径为200 nm～10 μm。

6.根据权利要求1所述的一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法，其特征在于：所述高分子微纳光纤材料为聚甲基丙烯酸甲酯，聚苯乙烯，聚碳酸酯或聚对苯二甲酸丙二醇酯。