[发明专利]用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法有效
| 申请号： | 201210446555.X | 申请日： | 2012-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102945897A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 李建明 | 申请（专利权）人： | 长治虹源科技晶片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 冷锦超;吴立 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 图形 衬底 蓝宝石 加工 方法 | ||
1.一种用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法，其特征在于：依次按粘胶、研磨、抛光、脱胶、退火、清洗步骤加工；
所述粘胶步骤在常温下采用胶水使两片基片胚料粘接在一块共同加工；
所述研磨步骤采用变速旋转方式分多次对粘接后的基片胚料进行双面研磨使基片减薄；
所述抛光步骤使用抛光液采用双面抛光的方式；
所述脱胶步骤通过加热粘接的基片胚料使其开胶，再使用乙醇或热碱溶液使其去胶；
所述退火步骤采用高温垒片退火。
2.如权利要求1所述的用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法，其特征在于：所述粘胶步骤中胶水为DR-13、417或者460中的一种，并且施加50～100克/平方厘米的压力使基片粘接固定。
3.如权利要求1所述的用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法，其特征在于：所述研磨步骤分两次研磨。
4.如权利要求1所述的用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法，其特征在于：所述研磨步骤分三次研磨。
5.如权利要求1所述的用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法，其特征在于：所述脱胶步骤中开胶温度为160～180℃，采用乙醇去胶，去胶在常温下进行。
6.如权利要求1所述的用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法，其特征在于：所述脱胶步骤中去胶温度为160～180℃，所用去胶溶液为温度在60～90℃的氢氧化钠或者氢氧化钾，将去胶后的基片在热氢氧化钠或者氢氧化钾的溶液中浸泡5～10分钟进行去胶。
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