[发明专利]一种新的减薄工艺无效
申请号: | 201210446571.9 | 申请日: | 2012-11-10 |
公开(公告)号: | CN103811329A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 王红亚 | 申请(专利权)人: | 王红亚 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 264006 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工艺 | ||
1.一种新的减薄工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:
(1)上蜡:用氮气枪吹净芯片表面,气压0.3MPa,将蜡棒和陶瓷盘加热至100℃,再将蜡滴涂在盘上,每片消耗0.2g蜡,将芯片贴在陶瓷盘上,铺盖3张无尘纸,压盘加压2min,压力0.6MPa,之后冷却至35℃,即可取出陶瓷盘,上蜡后蜡层厚度为1-3um;
(2)去蜡:使用小无尘纸和无水乙醇擦拭芯片表面残蜡;
(3)粗磨:用无水乙醇和无尘纸将陶瓷盘背面以及粗磨机工作盘擦拭干净,开始研磨,砂轮盘转速为600rad/min,工作盘转速120rad/min,砂轮盘推进速率0.3-0.6um/s,分三步进行研磨,第一步测厚6片,研磨前修盘,第二、三步测厚1片,边磨边修,研磨完毕后,纯水冲洗陶瓷盘,氮气枪吹净陶瓷盘和工作盘;
(4)精磨:擦拭陶瓷盘背面及细磨机吊臂吸盘,开始研磨,铜盘转速为60rad/min,吊臂转速为45rad/min,吊臂压力为45kg,研磨液喷吐量为3mL/min,磨好后,使用毛刷、纯水和碳酸钠刷洗,氮气枪吹净陶瓷盘表面,无尘纸擦干背面;
(5)推片:将陶瓷盘放在加热板上加热,温度设定95℃,加热2min,温度到达95℃时用刀片和镊子将芯片推下,放入传片盒;
(6)清洗:将推下的芯片放入花篮,准备清洗,药品倒入烧杯1800ml,水浴加热药剂,水浴温度为75℃,丙酮一清洗药剂预热5min,丙酮二清洗和乙醇清洗药剂需预热5min,芯片在丙酮一中煮8min,再在丙酮二中煮5min,之后在乙醇中煮5min,最后60℃热氮吹干,气压0.1MPa,每杯药品只煮两个花篮,吹干后取出芯片放入传片盒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造