[发明专利]组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构

说明书

技术领域

本发明属于半导体单晶薄膜技术领域，尤其涉及Al_xGa_1-xN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构。 

背景技术

氮化镓（GaN）基高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）是一种基于氮化物异质结构的新型电子器件，氮化物材料特有的极化效应使得在异质结界面势阱中形成高浓度的二维电子气（2DEG）沟道，通过肖特基栅压控制沟道电子实现工作。器件具有高频、大功率的优异特性，广泛应用于无线通信基站、电力电子器件等信息收发、能量转换等领域，符合当前节能环保、绿色低碳的发展理念；GaN HEMT外延材料结构一般包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层。衬底一般为蓝宝石、碳化硅（SiC）、单晶硅（Si）。对于通常采用的铝镓氮/氮化镓（AlGaN/GaN）异质结构，缓冲层和沟道层均为GaN，势垒层为AlGaN。在这种单异质结构中沟道层和缓冲层均为GaN，之间不能形成导带带阶，沟道二维电子气的限域性较差，电子容易溢出沟道进入缓冲层，从而降低了沟道的夹断性能，造成器件的输出电导增大和击穿性能下降，进而降低了器件的频率性能和功率特性；为了增强GaN HEMT沟道二维电子气限域性，提高器件性能，一种有效的方法是采用低组分的AlGaN作缓冲层构成Al_xGa_1-xN/GaN/Al_yGa_1-yN双异质结HEMT。在这种结构中，2DEG沟道层与缓冲层之间形成GaN/AlGaN异质结，得益于AlGaN的大带隙和极化效应，在GaN/AlGaN界面产生负极化电荷，抬高了导带能级，增强了2DEG限域性。 

然而，在AlGaN中由于存在声子的合金散射，使得AlGaN合金的热导率大幅下降，组分在0.2-0.8之间的AlGaN薄膜的热导率只有20W/mK，显著低于GaN薄膜130W/mK的热导率。降低Al组分有助于提高热导率，当组分为0.04时，热导率为70W/mK，但仍低于GaN。由于AlGaN缓冲层较低的热导率使得器件的输出电流随着漏极偏压的增大而下降，造成器件的输出功率下降，效率降低，从而影响了GaN HEMT大功率方向的应用潜力。 

发明内容

发明目的：针对上述现有存在的问题和不足，本发明的目的是提出一种组分渐变Al_yGa_1-yN缓冲层GaN HEMT外延材料结构和生长方法；通过采用组分渐变Al_yGa_1-yN代替通常采用的组分恒定的Al_yGa_1-yN缓冲层；与组分恒定Al_yGa_1-yN缓冲层一样，这种组分渐变缓冲层依然能够与GaN沟道层形成GaN/AlGaN异质结，产生导带带阶，增强HEMT材料2DEG限域性，提高器件的频率性能和功率特性；由于随着AlGaN合金中存在合金散射，AlGaN的热导率低于GaN。因此，这种组分渐变Al_yGa_1-yN缓冲层在增强2DEG限域性的同时，热导率显著提高，是一种降低AlGaN缓冲层HEMT器件的自热效应的有效方法。 

技术方案：为实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案：一种组分渐变Al_yGa_1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，包括衬底层，该衬底层上从下至上依次生长有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，其中：所述衬底层为蓝宝石、SiC或Si；所述成核层为ALN、GaN或AlGaN；所述沟道层为GaN；所述势垒层为III-V族氮化物多元合金薄膜；所述缓冲层为Al_yGa_1-yN，其中Al组分含量沿成核层向沟道层方向由0渐变到y，y为0.02～0.08。 

作为优选，所述Al_yGa_1-yN缓冲层的厚度为0.5～3.0μm。 

作为优选，所述沟道层厚度为10～500nm。 

作为优选，所述Al_yGa_1-yN缓冲层的生长温度为700～1200℃。