[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括本体层、覆盖在所述本体层正表面上的扩散层；

对所述扩散层进行局部重掺杂，形成第一副栅线；

在基底正表面上形成减反射层，该减反射层覆盖所述第一副栅线；

在位于所述第一副栅线上方的减反射层区域形成间断的第二副栅线，所述第二副栅线的形成材料为具有穿透性的导电浆料，以与基底形成欧姆接触；

在第二副栅线上方形成连续的主栅线和第三副栅线，所述主栅线、第三副栅线及第二副栅线彼此电性相连，所述主栅线和第三副栅线的形成材料为不具有穿透性的导电浆料；

对基底进行烧结，使所述第二副栅线与基底电性相连。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述形成第一副栅线的过程具体为，利用激光对覆盖在所述扩散层上的玻璃层进行局部加热，使玻璃层中的杂质扩散进入所述扩散层，形成栅线状的重扩散区域，作为第一副栅线；所述玻璃层是基底进行扩散之后自然形成的。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成第一副栅线之后，形成减反射层之前，还包括，去除覆盖在所述扩散层上的玻璃层。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一副栅线的表面掺杂浓度为10²⁰cm^-3～10²³cm^-3，掺杂深度为0.1~1μm，包括端点。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述扩散层上，除第一副栅线外的其它区域的表面掺杂浓度为10¹⁸cm^-3～10²¹cm^-3，掺杂深度为0.1~0.5μm，包括端点。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第三副栅线的间距为1.7mm～2.2mm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第三副栅线与所述第一副栅线所成的角度为0～90度，包括端点。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第三副栅线完全覆盖所述第二副栅线。

9.一种太阳能电池，采用权利要求1-8任一项所述的方法制作，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括本体层和覆盖在所述本体层正表面上的扩散层，其中，所述扩散层是由所述本体层掺杂扩散得到的；

位于所述扩散层内的第一副栅线，所述第一副栅线是由所述扩散层局部重掺杂形成的；

位于所述基底正表面上的减反射层；

位于所述第一副栅线上方的减反射层区域的间断的第二副栅线，所述第二副栅线的形成材料为具有穿透性的导电浆料，且与所述基底电性相连；

位于所述基底正表面上连续主栅线和第三副栅线，所述主栅线和第三副栅线的形成材料为不具有穿透性的导电浆料，且所述主栅线、第三副栅线及第二副栅线彼此电性相连。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一副栅线的表面掺杂浓度为10²⁰cm^-3～10²³cm^-3，掺杂深度为0.1~1μm。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述扩散层上，除第一副栅线外的其它区域的表面掺杂浓度为10¹⁸cm^-3～10²¹cm^-3，掺杂深度为0.1~0.5μm。

12.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三副栅线的间距为1.7mm～2.2mm。

13.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三副栅线与所述第一副栅线所成的角度为0～90度，包括端点。

14.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三副栅线完全覆盖所述第二副栅线。