[发明专利]扫描时脉产生器以及扫描时脉产生方法有效

专利信息
申请号: 201210447504.9 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN103809104A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 陈莹晏;林振东;李日农 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;吕俊清
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 扫描 产生器 以及 产生 方法
【说明书】:

技术领域

发明所揭示的实施例相关于扫描时脉的产生,尤指一种可以产生多个扫描时脉的扫描时脉产生器以及相关方法。

背景技术

扫描测试(scan test)对于工艺缺陷(process defect)的检测能力极佳,且不论电路大小或功能为何,都能提供一个准确且单一的评分数字,因此扫描测试已经成为芯片量产测试不可或缺的重要指标。然而,为了缩短测试时间,扫描测试通常会让电路在机台上尽可能地被触发(toggle),以期望能在最少时间之内检测到最大部分的电路,因此,测试耗能(test power)往往会远大于电路正常运作时的耗能,严重时,过大的电流可能会造成芯片烧毁或是造成测试误宰(over-kill)。为了避免这样的缺点,传统上会将电路分割成几个较小的区块,每个区块有自己的独立扫描时脉,每个扫描时脉在测试时不会同时启动,而是彼此有一相位偏差(phase skew),换句话说,每个扫描时脉的时脉缘在测试时都是彼此错开的。这种作法有效地解决了测试耗能过大的问题,不过,随着电路复杂度增加,电路尺寸也不断的成长,因此一待测芯片中的待测电路需要被细切成更多的小区块,代表需要更多由测试机台提供的扫描时脉信号从芯片的扫描时脉输入端口输入至内部电路,然而,芯片封装后的针脚(pin)数量以及测试机台能提供的信号数量都是固定的,因此持续成长的扫描时脉信号数目将面临针脚(或测试信号)不够用的问题。

考量到上述需求,故需要一个创新的设计以便能够使用简单的芯片内电路来有效地减少扫描测试时所需要用到的芯片针脚(或测试信号)。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种可以产生多个扫描时脉的扫描时脉产生器以及相关方法来解决上述问题。

根据本发明的第一实施例,揭示一种扫描时脉产生器,用以提供测试多个待测元件所需的多个芯片内扫描时脉,该扫描时脉产生器包含有一接收电路,用来接收一芯片外扫描时脉;以及一时脉处理电路,耦接于该接收电路,用来根据所接收的该芯片外扫描时脉来产生该多个芯片内扫描时脉;其中该多个芯片内扫描时脉的时脉缘彼此错开,以及该扫描时脉产生器与该多个待测元件设置于同一芯片中。

根据本发明的第二实施例,揭示一种用以提供测试多个待测元件所需的多个芯片内扫描时脉的扫描时脉产生方法,包含有接收一芯片外扫描时脉;以及根据所接收的该芯片外扫描时脉来产生该多个芯片内扫描时脉;其中该多个芯片内扫描时脉的时脉缘彼此错开。

通过采用本发明所提出的扫描时脉产生器以及扫描时脉产生方法,可以使用由一芯片外部输入的一外部扫描时脉来产生出多组不同相位的多个内部扫描时脉,减少芯片在扫描测试模式下因为需要多个扫描时脉输入而造成针脚被占用的情况,同时本发明的扫描时脉产生器可产生多组不同相位的内部扫描时脉亦可达到降低瞬间测试功率的目的。

附图说明

图1为本发明扫描时脉产生器的第一示范性实施例的架构图。

图2为本发明扫描时脉产生器的第二示范性实施例的架构图。

图3为本发明扫描时脉产生器的第三示范性实施例的架构图。

图4为图3所示的时脉切换电路的一实施例的示意图。

图5为图4所示的控制器的一实施例的电路图。

其中,附图标记说明如下:

100、200、300    扫描时脉产生器

102、202、302    芯片

104              接收电路

106、206、306    时脉处理电路

108_1~108_M      延迟电路

110、210         控制器

111              触发器

112_1~112_M                 扫描时脉域

208_1~208_M、308_1~308_M    延迟元件

310                         时脉切换电路

312                         控制器

314                         解码器

502、504、506               选择器

508、510、512               触发器

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞昱半导体股份有限公司,未经瑞昱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210447504.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top