[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种操作半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

将编程数据顺序输入到与四个存储平面中的至少一个存储平面的选中的页相耦接的页缓冲器，以对选中的页中包括的选中的存储器单元编程；

对所述四个存储平面中的每个存储平面执行编程操作；

对所述四个存储平面中的每个存储平面执行编程验证操作；以及

在判定所述四个存储平面中的至少两个存储平面的选中的页已经通过编程验证操作之后，将用于下一页的新的编程数据输入到与所述下一页耦接的页缓冲器，同时对其余的存储平面执行编程操作和编程验证操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中，同时对所述四个存储平面执行编程操作。

3.如权利要求1所述的方法，其中，将编程数据顺序输入到与四个存储平面中的至少一个存储平面的选中的页相耦接的页缓冲器的步骤包括：

将所述编程数据顺序输入到各个页缓冲器中所包括的高速缓存锁存器。

4.如权利要求3所述的方法，其中，将编程数据顺序输入到页缓冲器的步骤还包括：

将所述编程数据发送到所述各个页缓冲器中所包括的主锁存器。

5.一种操作半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

将编程数据分别输入到与第一、第二、第三以及第四存储平面耦接的第一、第二、第三以及第四页缓冲器组的第N页中，并对所述第一、第二、第三以及第四存储平面的所述第N页每个都执行编程操作；

对所述第N页每个都执行编程验证操作；

如果编程验证操作的结果是所述第一存储平面和所述第二存储平面的第N页被判定成通过编程验证操作，则将用于第N+1页的编程数据输入到所述第一页缓冲器组和所述第二页缓冲器组，并对所述第三存储平面和所述第四存储平面的第N页执行编程操作；

如果所述编程验证操作的结果是所述第三存储平面和第四存储平面的第N页被判定成通过所述编程验证操作，则将编程数据输入到所述第三页缓冲器组和所述第四页缓冲器组的第N+1页中，并对所述第一存储平面和所述第二存储平面的第N+1页执行编程操作；以及

如果所述编程验证操作的结果是所述第一存储平面、所述第二存储平面、所述第三存储平面以及所述第四存储平面的第N页被判定成通过编程验证操作，则利用第N+1页的编程数据，对所述第一存储平面、所述第二存储平面、所述第三存储平面以及所述第四存储平面的下一页执行编程操作。

6.如权利要求5所述的方法，其中，当输入所述第一页缓冲器组、所述第二页缓冲器组、所述第三页缓冲器组以及所述第四页缓冲器组的第N页的编程数据时，将所述编程数据顺序输入到所述第一页缓冲器组、所述第二页缓冲器组、所述第三页缓冲器组以及所述第四页缓冲器组的各个页缓冲器中包括的高速缓存锁存器中。

7.如权利要求6所述的方法，其中，输入所述第一页缓冲器组、所述第二页缓冲器组、所述第三页缓冲器组以及所述第四页缓冲器组的第N页的编程数据的步骤还包括以下步骤：

将编程数据从所述高速缓存锁存器传送到在各个页缓冲器中所包括的主锁存器。

8.如权利要求7所述的方法，其中，利用传送到所述主锁存器中的编程数据，来对所述第一存储平面、所述第二存储平面、所述第三存储平面以及所述第四存储平面执行编程操作。

9.如权利要求5所述的方法，还包括以下步骤：如果编程验证操作的结果是所述第一存储平面、所述第二存储平面、所述第三存储平面以及所述第四存储平面的全部第N页被判定成未都通过编程验证操作，或者所述第一存储平面和所述第二存储平面中的任何一个存储平面的任何一个第N页以及所述第三存储平面和所述第四存储平面中的任何一个存储平面的任何一个第N页被判定成未通过编程验证操作，则重复对所述任何一个第N页的编程操作，同时逐步地升高编程电压。

10.如权利要求5所述的方法，其中，对所述第三存储平面和所述第四存储平面的第N页执行编程操作的步骤包括：在所述第一存储平面和所述第二存储平面的编程验证操作被禁止判定是否已经通过的状态下，对所述第三存储平面和所述第四存储平面的第N页执行编程操作，同时逐步地提高编程电压，直到所述第三存储平面和所述第四存储平面的第N页的编程验证操作通过编程验证操作。