[发明专利]一种新的LED光刻显影工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种新的LED光刻显影工艺，属于LED生产领域。

背景技术

LED行业是当今高新技术中领域非常重要的微电子领域之一，而LED制程中需要利用光刻显影，以往的技术，由于工艺缺陷，在显影过程中无法精确控制，导致显影不彻底或者出现过显影现象。

发明内容

本发明针对不足，提供一种新的LED光刻显影工艺。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下：

(1)首先在显影槽中放满显影液，0.8％氢氧化钠溶液与2.38％四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动；

(2)片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动；

(3)用0.8％氢氧化钠溶液对N电极显影：先在第一个显影槽中显影30秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；

(4)用0.8％氢氧化钠溶液对ITO显影：先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影15秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；

(5)用2.38％四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影：先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；

(6)从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5MΩ·cm；

(7)最后用热氮烘干机吹干。

进一步，所述热氮烘干机吹风时间为：大台、小台大流量吹300秒，电极大流量吹600秒。

本发明的有益效果是：本发明操作简单，能更精确的控制显影过程，有效减少显影不彻底或过显影现象。

具体实施方式

以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下：

(1)首先在显影槽中放满显影液，0.8％氢氧化钠溶液与2.38％四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动；

(2)片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动；

(3)用0.8％氢氧化钠溶液对N电极显影：先在第一个显影槽中显影30秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；

(4)用0.8％氢氧化钠溶液对ITO显影：先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影15秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；

(5)用2.38％四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影：先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；

(6)从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5MΩ·cm；

(8)最后用热氮烘干机吹干。

所述热氮烘干机吹风时间为：大台、小台大流量吹300秒，电极大流量吹600秒。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。