[发明专利]一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构

权利要求书

1.一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构，其特征是，所述天线罩结构由最外层和最里层的蒙皮层，以及多于100层的梯度过渡层组成；所述的天线罩结构的总厚度为8.5mm；所述的蒙皮层和梯度过渡层每层的厚度均相等；所述的蒙皮层为致密氮化硅陶瓷层；所述的梯度过渡层为多孔氮化硅陶瓷层，其中间层的气孔率为81%，其气孔率的分布由两边向中间按照指数为0.09的方式依次递增。

2.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，选取介电常数为8.0的致密氮化硅陶瓷作为所述的蒙皮层的构成材料。

3.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，选取介电常数为2.0的多孔氮化硅陶瓷作为所述的梯度过渡层的中间层的构成材料。

4.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述的梯度过渡层的层数选为498层。

5.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述的多孔氮化硅陶瓷层用热压法并且通过添加适量的成孔剂烧制而成。

6.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述蒙皮层和梯度过渡层各层之间用粘接剂粘结在一起。

7.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述天线罩结构在1-100GHz频段内的透射率为0.7。

8.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述天线罩结构内外表面温差为1400摄氏度下的热应力与应力强度之比在-1.0到1.0之间。