[发明专利]一种制备Si3N4纳米线的方法无效
| 申请号： | 201210447800.9 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102897726A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李玉国;王宇;方香;卓博世;彭瑞芹;张晓森 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 彭成 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 si sub 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备Si3N4纳米线的方法，其特征在于：步骤如下：
（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；
（2）氮化硅纳米线的合成：将上述溅射好的附有Pt薄膜的硅衬底放在石英管式炉中进行氮化硅纳米线的合成，实验条件为：炉温为900～1200℃，工作气体为硅烷和氮气，硅烷和氮气的气体流量比为1:1～1:5，流量为300ml/min～1000ml/min，反应时间为30～120分钟；反应结束后，即得氮化硅纳米线。
2.根据权利要求1所述的一种制备Si3N4纳米线的方法，其特征在于：所述步骤（1）具体如下：使用磁控溅射仪进行制备，基片为Si片，溅射用靶是纯度为99.99%的Pt靶，系统背景真空度为1.9×10-3Pa，工作气体是纯度为99.999%的高纯氩气，工作气压为3Pa；室温下溅射，将Pt溅射到衬底上，Pt薄膜厚度为10～50nm。
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