[发明专利]全压接封装高压半导体器件有效
申请号: | 201210448143.X | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN103811424B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 刘鹏;张桥;颜家圣;吴拥军;孙亚男;杨宁;林煜风;张明辉;李娴;任丽;刘小俐 | 申请(专利权)人: | 湖北台基半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L23/28;H01L23/31;H01L29/04 |
代理公司: | 襄阳嘉琛知识产权事务所42217 | 代理人: | 严崇姚 |
地址: | 441021 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 全压接 封装 高压 半导体器件 | ||
1.一种全压接封装高压半导体器件,包括管壳下封接件(1)、下钼圆片(2)、半导体芯片(3)、上钼圆片(4)、门极引线组件(6)和管壳上封接件(5),其特征是:所述管壳上封接件(5)中心设有安装孔,安装孔安装门极引线组件6,门极引线组件6高出管壳上封接件5表面;所述上钼圆片(4)中心设有定位孔,门极引线组件(6)卡入该定位孔内;管壳下封接件(1)、下钼圆片(2)、半导体芯片(3)、上钼圆片(4)、门极引线组件(6)和管壳上封接件(5)依次为压接接触;所述半导体芯片(3)晶片内部微观纵向对称结构P+P1N1P2N2中P1区、P2区为双层Al扩散层,分别进行两次高真空Al预沉积和两次高温Al推进扩散形成一次低浓度深结Al和二次高浓度浅结Al;所述半导体芯片(3)的两个PN结的边缘台面造型采用两面双负角台面造型,半导体芯片(3)阴阳极表面涂覆厚度为10μm∽50μm的金属导电层;所述管壳下封接件(1)与管壳上封接件(5)内形成密封腔体,该密封腔体内充有低于外部大气压的惰性气体;所述下钼圆片(2)中心设有定位孔,所述管壳下封接件(1)中心设有安装盲孔,定位孔内安装有定位柱。
2.根据权利要求1所述的全压接封装高压半导体器件,其特征在于:所述半导体芯片(3)的晶片原始材料为采用三氯氧磷吸收工艺技术进行预吸收处理的N型<100>晶向高阻单晶硅片或N型<111>晶向高阻单晶硅片;半导体芯片(3)的晶片内部微观纵向结构P+P1N1P2N2对称结构采用Al-Al-P-B每种杂质源分别沉积、分别扩散推进、多次氧化光刻形成。
3.根据权利要求1或2所述的全压接封装高压半导体器件,其特征在于:所述两面双负角的各面的负角是两个不同角度的角构成,负角台面造型,采用机械控制、单面自动磨角对晶片两面分别进行。
4.根据权利要求1或2所述的全压接封装高压半导体器件,其特征在于:所述半导体芯片(3)边缘两面双负角台面设有环形直角圆柱形绝缘保护硅胶环(7、8),双面台面保护硅胶环采用硅橡胶成型技术加工,硅胶环(8)外层表面可设有凹槽(9);半导体芯片双面中心放置上、下钼圆片,利用硅胶环内园对上、下钼圆片进行定位。
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