[发明专利]厚膜导电组合物及其用途有效

专利信息
申请号: 201210448218.4 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN103106946B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: M·柯尼格;M·内伊德特;M·赫尔特斯;C·莫尔 申请(专利权)人: 赫劳斯贵金属有限两和公司
主分类号: H01B1/16 分类号: H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 彭飞,林柏楠
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 导电 组合 及其 用途
【权利要求书】:

1.厚膜导电组合物,其包含:

(a)金属粒子,其中根据ISO 9277通过BET测得的所述金属粒子的比表面积等于或大于1.8平方米/克,

(b)Mn(II)O;

(c)玻璃粒子;和

(d)有机基料。

2.权利要求1的厚膜组合物,其包含占总组合物的0.2至5重量%的Mn(II)O。

3.权利要求2的厚膜组合物,其包含占总组合物的0.2至3重量%的Mn(II)O。

4.权利要求1的厚膜组合物,基于总组合物的重量%,其包含:10至75重量%的所述金属粒子、0.5至10重量%的所述玻璃粒子和25至70重量%的所述有机基料。

5.权利要求2的厚膜组合物,基于总组合物的重量%,其包含:10至75重量%的所述金属粒子、0.5至10重量%的所述玻璃粒子和25至70重量%的所述有机基料。

6.权利要求3的厚膜组合物,基于总组合物的重量%,其包含:10至75重量%的所述金属粒子、0.5至10重量%的所述玻璃粒子和25至70重量%的所述有机基料。

7.权利要求1至6任一项的厚膜组合物,其中所述金属粒子是银。

8.根据权利要求1至7任一项的厚膜导电组合物的用途,用于在施用到半导体基底上的介电层上形成焊盘或焊接母线。

9.根据权利要求8的用途,其用于在太阳能电池的正面上形成母线。

10.根据权利要求8的用途,其用于在太阳能电池的背面上形成焊盘。

11.制造太阳能电池的方法,包括:

(I)提供半导体基底,该基底包含沉积到所述半导体基底表面上的至少一个介电层;

(II)将厚膜组合物施用到介电层的至少一部分上以形成层状结构,其中所述厚膜组合物包含:

(a)导电金属,其中根据ISO 9277通过BET测得的金属粒子的比表面积等于或大于1.8平方米/克,

(b)Mn(II)O;

(c)玻璃粉;和

(d)有机基料,和

(III)烧制所述层状结构,以形成与半导体基底的介电层接触的焊接元件。

12.根据权利要求11的方法,其中:

(I)提供半导体器件,在该半导体器件正面上具有介电层,和

(II)将所述厚膜组合物施用到所述正面上以形成母线。

13.根据权利要求11的方法,其中

(I)提供半导体器件,在该半导体器件背面上具有介电层,和

(II)将所述厚膜组合物施用到所述背面上以形成焊盘。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赫劳斯贵金属有限两和公司,未经赫劳斯贵金属有限两和公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210448218.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top