[发明专利]利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，包括：

底部电极层，形成在衬底上；

半导体吸收剂层，形成在所述底部电极层上，所述吸收剂层具有p-型内部区和由所述p-型内部区的改性本征部分形成的n-型外部区，其中，n-型区和p-型区形成n-p结，所述n-p结是所述吸收剂层的固有部分；以及

顶部电极层，形成在所述吸收剂层上，所述顶部电极层经由限定所述吸收剂层中的侧壁的划线电连接至所述底部电极层；

其中，所述吸收剂层的所述n-型外部区在所述划线中的侧壁上延伸。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述n-型外部区包括所述吸收剂层的水平顶部部分和所述吸收剂层的沿着所述划线的侧壁延伸的垂直部分。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述n-型外部区的所述顶部部分和所述垂直部分是相邻的。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述划线是P2划线，所述P2划线通过所述吸收剂层将垂直通道形成至所述底部电极的顶表面，所述划线填充有来自接触所述吸收剂层的垂直n-型外部区的所述顶部电极层的材料。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述n-型外部区的深度等于或小于200nm。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述n-型外部区的深度为大于或等于约20nm至小于或等于约100nm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述吸收剂层包括硫属化物材料。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述吸收剂层包括选自由Cu(In，Ga)Se₂、Cu(In，Ga)(Se，S)₂、CuInSe₂、CuGaSe₂、CuInS₂、和Cu(In，Ga)S₂组成的组的材料。

9.一种用于形成薄膜太阳能电池的方法，包括：

在衬底上形成导电的底部电极层；

在所述底部电极层上形成p-型吸收剂层；

在所述吸收剂层中形成开放的划线，所述划线限定所述吸收剂层上露出的侧壁；以及

将所述划线中的所述p-型吸收剂层的露出侧壁转化为n-型外部区。

10.一种用于形成薄膜太阳能电池的方法，包括：

在衬底上形成导电的底部电极层；

在所述底部电极层上形成p-型吸收剂层，所述吸收剂层具有露出的水平顶表面；

在所述吸收剂层中形成开放的划线，所述划线在所述吸收剂层上形成露出的垂直侧壁并露出所述底部电极层的顶表面；

在所述划线形成后，立即将所述划线中的所述p-型吸收剂层的露出的侧壁和顶表面转化为n-型区，其中，所述吸收剂层具有仍为p-型的内部区；以及

在所述吸收剂层上方形成导电的顶部电极层。