[发明专利]一种层状插层改性复合材料及其实现负折射的方法无效
申请号: | 201210448796.8 | 申请日: | 2012-11-10 |
公开(公告)号: | CN102944907A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 周济;吴红亚;孙竞博 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 薄观玖 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 层状 改性 复合材料 及其 实现 折射 方法 | ||
1.一种层状插层改性复合材料,其特征在于:以插层客体材料作为导电层,通过在插层主体材料中插入插层客体材料,进行插层改性,获得导电层和介质层间隔排列的具有多层结构的插层改性复合材料;所获得的插层复合材料具有各向异性,其介电张量矩阵为非正定矩阵,即介电分量的符号不一致,有正有负,其基本单元为分子结构层,能在可见光频段使用;电磁波在此种插层复合材料中传播时,其等频线为双曲线;所述插层主体材料具有各向异性,为层状单晶材料;所述插层客体材料要充当导电层,为金属或导电有机物材料。
2.根据权利要求1所述的一种层状插层改性复合材料,其特征在于:所述插层主体材料为云母或蛭石层状硅酸盐材料,或MoS2、NbS2、VS2、SnS2、WS2、WSe2、WTe2层状过渡金属双硫属化物,或MoO3、V2O5的单晶材料。
3.根据权利要求1所述的一种层状插层改性复合材料,其特征在于:所述插层客体材料为金或银金属纳米颗粒,或具有大π键的苯、萘、蒽有机物分子材料。
4.一种基于层状材料插层改性实现负折射的方法,其特征在于:以插层客体材料作为导电层,通过在插层主体材料中插入插层客体材料,进行插层改性,获得导电层和介质层间隔排列的具有多层结构的插层复合材料;所获得的插层复合材料具有各向异性,其介电张量矩阵为非正定矩阵,即介电分量的符号不一致,有正有负,其基本单元为分子结构层,能在可见光频段使用;电磁波在此种插层复合材料中传播时,其等频线为双曲线;所述插层主体材料具有各向异性,为层状单晶材料;所述插层客体材料要充当导电层,为金属或导电有机物材料;使用时该插层复合材料的光轴平行于入射面和样品表面,入射光的电矢量的偏振方向在入射面内,能够实现能量全角负折射。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述插层主体材料为云母或蛭石层状硅酸盐材料,或MoS2、NbS2、VS2、SnS2、WS2、WSe2、WTe2层状过渡金属双硫属化物,或MoO3、V2O5的单晶材料。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述插层客体材料为金或银金属纳米颗粒,或具有大π键的苯、萘、蒽有机物分子材料。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述插层客体材料插入插层主体材料的方法为直接反应法、离子交换法、分子嵌入法、剥离重组法、纳米粒子直接插层法或纳米粒子原位生成法。
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