[发明专利]GaN基LED芯片制备方法在审
| 申请号： | 201210448826.5 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103811602A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;齐胜利;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 芯片 制备 方法 | ||
1.一种GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
1）提供蓝宝石衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
2）在近所述蓝宝石衬底的所述第一表面的一预设高度处进行隐形切割，使第一表面沿切割线产生微裂纹；
3） 在所述蓝宝石衬底的所述第一表面形成GaN半导体层；
4）在所述GaN半导体层上形成透明导电层、N电极及P电极；
5）从所述蓝宝石衬底的第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底；以及
6）进行裂片。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于：所述预设高度为自所述蓝宝石衬底的所述第一表面起1μm至5μm的范围内，裂纹宽度在0.1μm至2μm。
3.根据权利要求2所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于：所述预设高度为自所述蓝宝石衬底的所述第一表面起2μm至4μm的范围内，裂纹宽度在0.5μm至1.5μm。
4.根据权利要求3所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于：所述预设高度为自所述蓝宝石衬底的所述第一表面起2.5μm的范围内，裂纹宽度在1μm范围内。
5.根据权利要求1所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于：所述蓝宝石衬底是平片或者图形化蓝宝石衬底。
6.根据权利要求1所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤5)从所述蓝宝石衬底的第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底至70-200μm之间。
7.根据权利要求1所述的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤4）中采用蒸镀形成透明导电层，其厚度为500?~4000 ?之间。
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