[发明专利]一种引线忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种引线忆阻器，其特征在于：两条引线（1）分别与1个电极（2）相连，两电极（2）平行正对分布，并通过位于两电极（2）之间的作为有效忆阻功能介质材料（3）相连；所组成的引线忆阻器在电压或电流的加载下对外显示高低电阻状态转变，并且此种阻态转变具有对时间的记忆效应。

2.根据权利要求1所述的一种引线忆阻器，其特征在于：所述电极（2）的材料是Au、Pt、Cu、Ag或Ni金属及其导电合金材料，或导电碳材料、导电玻璃、导电有机物材料。

3.根据权利要求1所述的一种引线忆阻器，其特征在于：所述引线（1）的材料是Cu、Ag或Fe金属。

4.根据权利要求1所述的一种引线忆阻器，其特征在于：所述有效忆阻功能介质材料（3）为ZrO₂、Gd₂O₃、HfO₂、TiO₂、SiO₂、WO_x (0≤x≤3)、CuO_y (0≤y≤1)、TaO_z (0≤z≤2.5)、VO₂、MFe₂O₄、Si、SrTiO_3-cN_d (0≤c≤3,d=2c/3)、LiNbO₂和Nb₂O₅中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的一种引线忆阻器，其特征在于：所述MFe₂O₄中M为Mn、Fe、Co或Ni。

6.根据权利要求1所述的一种引线忆阻器，其特征在于：在引线忆阻器外包覆一层绝缘材料保护层（4），并在其与引线忆阻器形成的空间中填充绝缘填充材料（5），两条引线（1）同侧设置或对向设置。

7.根据权利要求6所述的一种引线忆阻器，其特征在于：所述绝缘材料保护层（4）或绝缘填充材料（5）为聚氯乙烯、聚乙烯或树脂绝缘材料中的一种或多种。

8.一种如权利要求1~7任一权利要求所述的引线忆阻器的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

a. 选取和制备合适体系的有效忆阻功能介质材料；

b. 将步骤a中得到的有效忆阻功能介质材料与电极通过涂覆、压模、蒸镀、溅射或沉积的方法制备成三明治结构，其中有效忆阻功能介质材料位于两电极的中间；

c. 通过点焊或粘结的方法向步骤b中得到的三明治结构两端的电极上添加引线，得到有效忆阻器结构；

d. 通过向步骤c中所获得的有效忆阻器结构包覆绝缘保护层，并在结构空隙中填入绝缘介质得到完整的引线忆阻器。