[发明专利]一种掺镨氟化钇锂晶体生长方法无效
| 申请号： | 201210448986.X | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102925973A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王冬;胡卫东 | 申请（专利权）人： | 合肥嘉东科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氟化 晶体生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺镨氟化钇锂晶体生长方法，包括以下步骤：
将PrF3和LiF、YF3混合粉体和种晶放入铂坩埚；
将铂坩埚放入单晶炉中，将单晶炉内通入氮气；
采用开放式提拉法生长掺鐠氟化钇锂单晶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的PrF3和LiF、YF3的纯度均＞99.99％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的PrF3和LiF、YF3摩尔比为0.02∶1∶0.98。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的铂坩埚放入单晶炉后先在300℃中处理2小时。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的铂坩埚厚度为0.5-0.8mm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的种晶为A方向YLF单晶。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的采用开放式提拉法生长掺鐠氟化钇锂时，炉温控制在600-1000℃，生长温度梯度在60-90℃/cm，上升速度0.5mm/h。
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