[发明专利]一种分离发光二极管衬底的方法有效
| 申请号： | 201210449638.4 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103000774A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;叶孟欣;林科闯;李水清 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分离 发光二极管 衬底 方法 | ||
1.一种分离发光二极管衬底的方法，包括步骤：
提供一生长衬底；
在所述生长衬底上形成第一半导体层，其呈倒置金字塔锥体阵列分布，各个单元相互分离；
在所述第一半导体层之上形成发光外延层；
湿法蚀刻所述呈倒置金字塔锥体阵列分布的第一半导体层，从而分离生长衬底。
2.根据权利要求1所述的一种分离发光二极管衬底的方法，其特征在于：
通过侧向生长所述发光外延层，从而在所述生长衬底与发光外延层之间形成一贯穿第一半导体层的空气锥形体，其顶部位于所述发光外延层。
3.根据权利要求1或2所述的一种分离发光二极管衬底的方法，其特征在于：在所述第一半导体层中，各个倒置金字塔锥体的尖端与所述生长衬底横截面接触的几何长度小于或等于1um。
4.根据权利要求1或2所述的一种分离发光二极管衬底的方法，其特征在于：在所述第一半导体层中，各个倒置金字塔锥体侧壁与衬底形成的角度为20~70°。
5.根据权利要求1或2所述的一种分离发光二极管衬底的方法，其特征在于：所述第一半导体层与生长衬底的材料的蚀刻选择比大于或等于10：1。
6.根据权利要求5所述的一种分离发光二极管衬底的方法，其特征在于：所述第一半导体层为材料为AlN、ZnO或GaO。
7.根据权利要求2所述的一种分离发光二极管衬底的方法，其特征在于：所述第一半导体层与所述发光外延层的材料的蚀刻选择比大于或等于4：1。
8.根据权利要求1所述的一种分离发光二极管衬底的方法，其特征在于：所述倒置金字塔锥体阵列通过下面方法实现：
在所述生长衬底上外延生长第一半导体层；
在所述第一半导体层上形成一掩膜层，图形化所述掩膜层；
采用干法蚀刻和湿法蚀刻相结合的方式，蚀刻所述第一半导体层，从而获得倒置金字塔锥体阵列。
9.根据权利要求8所述的一种分离发光二极管衬底的方法，其特征在于：所述图形化的掩膜层呈条状或块状阵列分布，各个单元之间的间隔为1~10um。
10.根据权利要求1所述的一种分离发光二极管衬底的方法，还包括步骤：提供一支撑衬底，将所述发光外延层反置安装在所述支撑衬底。
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