[发明专利]图形化的SiC衬底有效
| 申请号： | 201210449697.1 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102925969A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 储耀卿 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根;王晶 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 sic 衬底 | ||
【权利要求书】：
1.一种图形化的SiC衬底，包括SiC单晶衬底，其特征在于：SiC单晶衬底（1）表面有通过等离子刻蚀或者湿法腐蚀的方法形成的周期化凸起或凹陷图形。
2.根据权利要求1所述的图形化的SiC衬底，其特征在于：所述的周期化凸起或凹陷图形为多边锥形、多边柱形、多棱台形、梯形多边台形、梯形圆台、半球形或球冠中的任一种。
3.根据权利要求1所述的图形化的SiC衬底，其特征在于：所述的SiC单晶衬底（1）为6H或4H晶型。
4.根据权利要求1所述的图形化的SiC衬底，其特征在于：所述的SiC单晶衬底（1）为导电型或半绝缘型。
5.根据权利要求2所述的图形化的SiC衬底，其特征在于：所述的周期性图形是多边锥形、多边柱形、多棱台形、梯形多边台形、梯形圆台、半球形或球冠中任意两种或两种以上的组合。
6.根据权利要1或5所述的图形化的SiC衬底，其特征在于：所述周期化图形的周期为0.1~30微米，周期形图形的底面直径为0.1~30微米，周期形图形高度为0.1~5微米。
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