[发明专利]制造延性增强的镁合金片材有效
申请号: | 201210449734.9 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN103103463A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | S.K.米什拉;S.蒂瓦里;A.特瓦里;J.T.卡特;D.萨奇德瓦 | 申请(专利权)人: | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
主分类号: | C22F1/06 | 分类号: | C22F1/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 韦欣华;万雪松 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 延性 增强 镁合金 | ||
1.通过在片材中形成包含主要两种不同尺寸范围的晶粒的微结构来改进镁基合金片材的室温拉伸伸长的方法,所述镁基合金片材具有包含基本均一尺寸的无应变晶粒的初始微结构,所述方法包括:
在不高于大约160℃的温度下使片材变形,以使应变至预定应变并嵌在基本未变形的片材部分中的所述片材的密间隔部分基本均匀分布;和
以一定温度和时间将所述片材退火以形成微结构,所述温度和时间适于在所述应变的密间隔的嵌入部分中产生比基本未变形的片材部分中的晶粒更大的晶粒,在该微结构中晶粒粒度包含主要双峰分布,其中大部分晶粒的尺寸落在两个非重叠尺寸范围之一内。
2.权利要求1的方法,其中通过在低于大约160℃的温度下在粗糙辊之间辊轧以将该片材厚度降低大约1%,使所述镁片材变形。
3.权利要求1的方法,其中通过在不加热片材的情况下在基本光辊之间辊轧以大致均匀地将其厚度降低大约2%至5%,使所述镁片材变形。
4.权利要求1的方法,其中退火温度为大约350℃且退火时间为大约15分钟至大约30分钟。
5.权利要求1的方法,其中
该退火温度为大约350℃至大约500℃;
该片材的第一体积包含尺寸为大约10至25微米的晶粒,该片材的第二体积包含尺寸为大约70至100微米的晶粒,且第一体积与第二体积的比率为大约2:1;和
约75%的该片材体积含有落在所述双峰分布的尺寸范围内的晶粒。
6.权利要求1的方法,其中所述镁合金是AZ31。
7.镁合金片材,其具有主要包含嵌在具有第二较小尺寸范围的许多晶粒内的具有第一尺寸范围的密间隔和基本均匀分布的晶粒簇的微结构,相比于具有包含基本类似尺寸的晶粒的微结构的相同合金片材,所述片材的拉伸延性更大且拉伸强度相当。
8.权利要求7的镁合金片材,其中
所述两个晶粒粒度范围为大约10至25微米和大约70至100微米;和
其中尺寸为70至100微米的晶粒簇间隔大约500微米。
9.权利要求7的镁合金片材,其中所述镁合金是AZ31。
10.通过在片材中形成包含主要两种不同尺寸范围的晶粒的微结构来改进镁基合金片材的室温拉伸伸长的方法,所述镁基合金片材具有包含基本均一尺寸的无应变晶粒的初始微结构,所述方法包括:
在大约25℃下使片材变形,以使应变至预定应变并嵌在基本未变形的片材部分中的所述片材的密间隔部分基本均匀分布;和
以一定温度和时间将所述片材退火以形成微结构,所述温度和时间适于在所述应变的密间隔的嵌入部分中产生比基本未变形的片材部分中的晶粒更大的晶粒,在该微结构中晶粒粒度包含主要双峰分布,其中大部分晶粒的尺寸落在两个尺寸范围之一内。
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