[发明专利]发光二极管制造方法及发光二极管有效
| 申请号： | 201210449845.X | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811612A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：
提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；
在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂的GaN层，所述未掺杂的GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；
在未掺杂的GaN层表面成长布拉格反射层直至覆盖凸出部的顶部区域；
对布拉格反射层以及未掺杂的GaN层进行蚀刻直至露出凸出部的顶部区域；以及
在凸出部的顶部区域以及布拉格反射层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述布拉格反射层由两种具有不同折射率的材料交替排布而成。
3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述蚀刻布拉格反射层以及未掺杂的GaN层的过程以干蚀刻或者湿蚀刻的方法进行。
4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述活性层为多量子阱层。
5.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述凸出部的截面为半圆形状、三角形形状或梯形形状。
6.一种发光二极管，包括：
蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；
未掺杂的GaN层，形成在相邻两个凸出部之间；
布拉格反射层，形成在未掺杂的GaN层的表面且位于相邻两个凸出部之间，所述布拉格反射层顶面的高度小于或等于凸出部顶面的高度；以及
N型GaN层、活性层以及P型GaN层，依次生长在凸出部的顶面以及布拉格反射层的顶面。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述布拉格反射层由两种具有不同折射率的材料交替排布而成。
8.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述蚀刻布拉格反射层以及未掺杂的GaN层的过程以干蚀刻或者湿蚀刻的方法进行。
9.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层为多量子阱层。
10.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述凸出部的截面为半圆形状、三角形形状或梯形形状。
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