[发明专利]液量控制方法和液量控制装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质无效
申请号: | 201210450572.0 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN103103507A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 河崎睦夫;吾乡富士夫 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | C23C18/31 | 分类号: | C23C18/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 方法 装置 半导体 集成电路 制造 控制程序 可读 存储 介质 | ||
1.一种液量控制方法,其对以内部可密封的方式所构成的处理槽内的处理液的液量进行控制,其中,
所述液量控制方法具有液量控制工序,即,液量控制机构通过蒸气压控制机构将处于该处理槽内的处理液的液面上方的气体中的该处理液的蒸气压以该处理液的液面位置位于规定位置的方式进行控制,从而调节处理液量。
2.根据权利要求1所述的液量控制方法,其中,
使处于所述处理液的液面上方的气体的温度比该处理液的温度设定得高。
3.根据权利要求1所述的液量控制方法,其中,
所述液量控制工序包括如下工序:
液面测量机构基于来自液面传感器的处理槽内的处理液面的位置数据测量液面位置的液面测量工序;
液面判定机构判定在该液面测量工序中测量的液面位置是比上限基准值有所上升或是比下限基准值有所下降的液面判定工序;
加湿控制工序,即,在该液面判定工序中判定为该液面位置比该上限基准值有所上升时,加湿控制机构控制所述蒸气压控制机构而使该处理槽内的蒸气压降低,促使水分从处理液表面蒸发,以使该处理液中的水分减少的方式进行控制,并且,在该液面判定工序中判定为该液面位置比该下限基准值有所下降时,控制该蒸气压控制机构而使该处理槽内的蒸气压上升,通过在处理液表面使凝结发生,从液面整体补给水分。
4.根据权利要求1所述的液量控制方法,其中,
所述液量控制工序具有如下工序:
液面测量机构基于来自液面传感器的处理槽内的处理液面的位置数据测量液面位置的液面测量工序;
液面判定机构判定在该液面测量工序中测量的液面位置是否比下限基准值有所下降的液面判定工序;
加湿控制工序,即,在该液面判定工序中判定为比该下限基准值有所下降时,加湿控制机构控制所述蒸气压控制机构而使处理槽内的蒸气压上升,通过在处理液表面使凝结发生,从液面整体补给水分。
5.根据权利要求3或4所述的液量控制方法,其中,
还具有闸板开口判定工序,其由闸板开口判定机构测量设于所述处理槽的盖体是否开口,在闸板开口判定工序中该闸板开口判定机构检测出该盖体开口时,所述加湿控制机构按照使所述处理槽内的蒸气压上升的方式控制所述蒸气压控制机构。
6.根据权利要求1所述的液量控制方法,其中,
所述处理液是镀Ni处理液、镀Cu处理液、镀Ag处理液和镀Au处理液之中的任意一种。
7.根据权利要求1或2所述的液量控制方法,其中,
所述气体选定不会使所述处理液劣化的气体,在该气体中加入处理液溶剂的蒸气而供给到所述处理槽内。
8.一种液量控制装置,其对以内部可密封的方式所构成的处理槽内的处理液的液量进行控制,其中,
所述液量控制装置具有:
控制处于该处理槽内的处理液的液面上方的气体中的该处理液的蒸气压的蒸气压控制机构;
通过按照使该处理液的液面位置位于规定位置的方式控制该蒸气压控制机构,从而调节处理液量的液量控制机构。
9.根据权利要求8所述的液量控制装置,其中,
还具有暖风供给机构,其将处于所述处理液的液面上方的气体的温度设定得比该处理液的温度高的暖风,供给到所述处理槽内。
10.根据权利要求8所述的液量控制装置,其中,
所述液量控制机构具有如下机构:
基于来自液面传感器的处理槽内的处理液面的位置数据测量液面位置的液面测量机构;
判定由该液面测量机构测量的液面位置是比上限基准值有所上升或是比下限基准值有所下降的液面判定机构;
加湿控制机构,其在该液面判定机构判定该液面位置比该上限基准值有所上升时,控制所述蒸气压控制机构而使处理槽内的蒸气压降低,促使水份从处理液表面蒸发,以使该处理液中的水分减少的方式进行控制,并且,在该液面判定机构判定为该液面位置比该下限基准值有所下降时,控制该蒸气压控制机构而使该处理槽内的蒸气压上升,通过在处理液表面使凝结发生,从液面整体补给水分。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
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C23C18-18 ..待镀材料的预处理