[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

输出端，消耗负载电流的负载电路耦合到所述输出端，并且从所述输出端产生输出电压；

多个输出晶体管，每个输出晶体管具有耦合到电源端的一端和耦合到所述输出端的另一端，所述每个输出晶体管根据提供到其控制端的阻抗控制信号所指示的控制值，控制对应于所述负载电流的量值的所述输出电压的量值；

电压监控电路，所述电压监控电路监控所述输出电压并且输出指示所述输出电压的电压值的输出电压监控值；以及

控制电路，所述控制电路根据指示所述输出电压的目标值的基准电压和所述输出电压监控值之间的误差值的量值，控制所述控制值的量值，并且基于所述控制值，控制是否使所述输出晶体管中的任一个成为导通状态，

其中，所述控制电路根据用于预先通知所述负载电流的变化的预告信号，在预定时段期间，相对于所述误差值增大所述控制值的变化步长。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述控制电路包括：第一控制值产生单元，在所述预告信号指示所述负载电流的波动小的正常操作时段的情况下，所述第一控制值产生单元产生所述控制值；以及第二控制值产生单元，在所述预告信号指示所述负载电流的波动大的负载突变时段的情况下，所述第二控制值产生单元产生所述控制值。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其中，所述第一控制值产生单元和所述第二控制值产生单元分别基于所述输出电压和所述基准电压，通过PID控制产生所述控制值。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，

其中，所述第二控制值产生单元具有比所述第一控制值产生单元的第一基准电压大的第二基准电压和比所述第一基准电压小的第三基准电压，并且

其中，在所述预告信号指示所述负载电流增大的情况下，所述第二控制值产生单元基于所述第二基准电压执行所述PID控制。

5.根据权利要求3或4所述的半导体集成电路，

其中，所述第一控制值产生单元和所述第二控制值产生单元分别具有增益系数，每个所述增益系数用于计算积分值，并且

其中，所述第二控制值产生单元具有第二增益系数，所述第二增益系数比所述第一控制值产生单元的第一增益系数大。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述第二控制值产生单元具有偏移添加单元，所述偏移添加单元预先将偏移与通过用于所述PID控制的算术操作计算的临时控制值相加。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路，

其中，所述输出晶体管包括与各个控制值对应地提供的输出晶体管，并且

其中，所述输出晶体管中的每一个的栅极宽度被设置成以与所述控制值的量值成反比的关系增大。

8.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述输出晶体管包括与所述控制值对应地分别提供的输出晶体管，并且

其中，所述输出晶体管中的每一个的电阻值被设置成与所述控制值的量值成反比地减小。

9.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述输出晶体管具有相互耦合的背栅端和漏极端。

10.根据权利要求9所述的半导体集成电路，

其中，所述控制电路在第一上限电压和第一下限电压之间操作，

其中，所述输出晶体管具有源极，向每个源极施加电压值比所述第一上限电压高的第二上限电压，

其中，所述半导体集成电路还包括缓冲电路，所述缓冲电路设置在所述控制电路和所述输出晶体管之间并且将所述阻抗控制信号的幅度从第一幅度转换成第二幅度，所述第二幅度的上限电压和下限电压比所述第一幅度的高，并且

其中，所述缓冲电路包括：第一缓冲电路，所述第一缓冲电路在所述第一上限电压和所述第一下限电压之间操作；第二缓冲电路，所述第二缓冲电路在所述第一上限电压和第二下限电压之间操作，所述第二下限电压的电压比所述第一下限电压的高；和第三缓冲电路，所述第三缓冲电路在所述第二上限电压和所述第二下限电压之间操作。