[发明专利]一种用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路

权利要求书

1.一种用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，包括预电离电路和主放电电路，预电离电路对两间隙等离子体喷射装置的短间隙通道进行预电离，随后主放电电路对短间隙通道放电，形成等离子体的喷射，使两间隙等离子体喷射装置的长间隙通道相继闪络击穿，产生贯穿两间隙等离子体喷射装置放电通道的长电弧。

2.如权利要求1所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，预电离电路包括一个脉冲变压器及向其放电的脉冲电容器，该脉冲变压器的高压输出端与两间隙等离子体喷射装置的高压电极相连接，低压输出端与两间隙等离子体喷射装置的中压电极相连接；

主放电电路包括一个放电电容器，该放电电容器的一端通过磁开关与两间隙等离子体喷射装置高压电极相连接，另一端与两间隙等离子体喷射装置的低压电极相连接。

3.如权利要求2所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，所述的预电离电路中，脉冲电容器向脉冲变压器放电的电路上还设有半导体开关；脉冲变压器的高压输出端经高压二极管与两间隙等离子体喷射装置的高压电极相连接，低压输出端与两间隙等离子体喷射装置的中压电极相连接；

所述的主放电电路还包括放电电阻，放电电阻与两间隙等离子体喷射装置的长间隙通道并联且一端接地。

4.如权利要求3所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，当预电离电路中的半导体开关导通后，脉冲电容器对脉冲变压器原边放电，使得脉冲变压器副边产生脉冲高压，施加于两间隙等离子体喷射装置的短间隙通道，形成短间隙通道的闪络击穿；

预电离电路放电后，待主放电电路的磁开关饱和，放电电容器经饱和磁开关、短间隙通道、放电电阻进行放电，形成对短间隙通道电弧的续流；此时，短间隙通道流过大的电流，形成等离子体的喷射，从而使得长间隙通道相继闪络击穿，形成贯穿整个间隙通道的长电弧。

5.如权利要求3所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，所述磁开关在饱和前的电感值远大于饱和后的电感值。

6.如权利要求5所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，所述磁开关在饱和前的电感值为10～50mH，饱和之后的电感值为200～800nH。

7.如权利要求3所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，所述的放电电阻在放电起始阶段作为分压电阻使用；在短间隙通道闪络击穿后，放电电阻作为限流电阻使用。

8.如权利要求3所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，预电离电路在放电前期对短间隙通道预电离，使得放电电容器充电电压降低至1～3kV。

9.如权利要求3所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，所述的预电离回路中，脉冲电容器的容量为5～50μF，充电电压为300~1000V，脉冲变压器的输出电压为10～50kV。

10.如权利要求3所述的用于触发两间隙等离子体喷射装置的电路，其特征在于，所述的主放电电路中，放电电容器的容量为100～500uF，充电电压为1～3kV；放电电阻的阻值为2~10Ω。