[发明专利]一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法

权利要求书

1.一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1.1在光刻版上画出光纤对准基座所需要的通孔阵列和尺寸；

1.2使用光刻胶将光刻版上通孔阵列和尺寸在硅晶圆片上定义出来；

1.3使用干法刻蚀机台刻蚀出光纤对准基座阵列的通孔；

1.4使用去胶机台去除残留的光刻胶；

1.5去除干法刻蚀过程中产生的刻蚀反应聚合物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1.1中，所述在光刻版上按照光纤阵列的排布及尺寸画上圆孔阵列，以及区分光纤对准基座正反面的标记孔；光纤对准阵列的正面孔径尺寸大于光纤直径尺寸，光纤对准阵列的背面孔径尺寸需大于光纤对准阵列的正面孔径尺寸；所述光纤对准阵列的正面孔径为120~150微米。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1.2中，使用负性光刻胶将光刻版上的图形定义到硅晶圆上，保证通孔阵列的光刻尺寸规格大于光纤直径0.3微米-1.0微米。

4.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步骤1.2中，所述光刻胶的厚度为0.1微米～10微米，硅晶圆的厚度为725微米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1.3中，使用光刻胶作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀出穿过整个硅晶圆厚度的硅通孔。

6.如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，在步骤1.3中，在干法刻蚀过程中会产生刻蚀反应聚合物，粘附在通孔内壁以及硅晶圆表面，会导致后续的光纤穿孔困难。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1.4中，所述去胶机台为灰化去胶设备。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1.5中，使用干法或者湿法药液清洗步骤清洗通孔内壁及硅晶圆表面粘附的刻蚀反应聚合物。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤1.5中，所述使用干法清洗通孔内壁及硅晶圆表面粘附的刻蚀反应聚合物，具体采用干法灰化去胶设备，使用O2气体，去除刻蚀反应副产物。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤1.5中，所述湿法药液为硫酸和双氧水的混合溶液，当硅晶圆里的颗粒较多时，增加一步氨水、双氧水与水的混合液再清洗一遍。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1.5完成后，得到孔径均匀性好，精确度高，内壁光滑的120-150微米孔径，700-800微米深度的光纤对准基座阵列。