[发明专利]写元件、热辅助磁头滑动块、磁头折片组合及制造方法

权利要求书

1.一种用于热辅助磁头滑动块的写元件，包括：

面向磁性记录媒介的空气承载面；

第一磁极、第二磁极以及层夹于所述第一磁极和第二磁极之间的线圈；

波导路，用于引导由安装于热辅助磁头滑动块的衬底之上的光源模块产生的光；及

设置于所述第一磁极和所述波导路附近的等离子体激元单元，所述等离子体激元单元具有一近场光产生表面以传播近场光至所述空气承载面；

其特征在于：所述等离子体激元单元的所述近场光产生表面与所述空气承载面相距第一预定距离以形成第一凹陷，且所述第一凹陷填充有保护层，所述保护层包括材料不同于所述第一磁极和所述第二磁极的低光吸收材料。

2.如权利要求1所述的写元件，其特征在于：所述第一、第二磁极和所述波导路的媒介面向表面与所述空气承载面相距第二预定距离以形成第二凹陷，且所述第二凹陷填充有所述保护层。

3.如权利要求2所述的写元件，其特征在于：所述第二预定距离小于所述第一预定距离。

4.如权利要求2所述的写元件，其特征在于：所述第一预定距离小于所述第二预定距离。

5.如权利要求1所述的写元件，其特征在于：所述第一预定距离的范围是1nm～300nm。

6.如权利要求1所述的写元件，其特征在于：所述第一、第二磁极和所述波导路的媒介面向表面由所述保护层覆盖。

7.如权利要求1所述的写元件，其特征在于：还包括一种子层，所述种子层形成在所述近场光产生表面和所述第一、第二磁极的媒介面向表面之上，且所述保护层形成于所述种子层之上。

8.如权利要求7所述的写元件，其特征在于：所述低光吸收材料包括以下一种或多种材料：TaOx,SiOx,AlOx,WOx,BCxNy,AlNx,SiNx,AlOxNy,SiOxNy,TiOx,ZrOx,MgOx。

9.如权利要求7所述的写元件，其特征在于：所述种子层包括以下一种或多种材料：Si,Al,Mg,Ta,W,Ti,MgOx,SiNx,AlNx,AlOx,SiNxOy,AlNxOy,WOx及类金刚碳。

10.如权利要求1所述的写元件，其特征在于：所述保护层在正对所述近场光产生表面的位置处凹陷，以使其与所述空气承载面的顶部相距第三预定距离。

11.如权利要求1所述的写元件，其特征在于：所述保护层的表面呈平坦状。

12.如权利要求1所述的写元件，其特征在于：在所述保护层上形成有一层碳涂层。

13.如权利要求12所述的写元件，其特征在于：所述碳涂层在正对所述近场光产生表面的位置处凹陷，以使其与所述空气承载面的顶部相距第四预定距离。

14.如权利要求1所述的写元件，其特征在于：所述等离子体激元单元为等离子体激元天线或等离子体激元产生器。

15.一种热辅助磁头滑动块，包括具有面向磁记录媒介的空气承载面的衬底，读元件以及写元件，所述写元件包括：

第一磁极、第二磁极以及层夹于所述第一磁极和第二磁极之间的线圈；

波导路，用于引导由安装于热辅助磁头滑动块的衬底之上的光源模块产生的光；及

设置于所述第一磁极和所述波导路附近的等离子体激元单元，所述等离子体激元单元具有一近场光产生表面以传播近场光至所述空气承载面；

其特征在于：所述等离子体激元单元的所述近场光产生表面与所述空气承载面相距第一预定距离以形成第一凹陷，且所述第一凹陷填充有保护层，所述保护层包括材料不同于所述第一磁极和所述第二磁极的低光吸收材料。