[发明专利]制造半导体存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体衬底上形成多个栅极线；

在所述栅极线上形成绝缘层；以及

利用具有比2cP更低的粘度以及比3pH更低的酸度的不含表面活性剂的清洁溶液来执行清洁工艺，以从所述绝缘层的表面去除残留物。

2.如权利要求1所述的方法，其中，利用湿法清洁工艺来执行所述清洁工艺。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述不含表面活性剂的清洁溶液是氢氟酸HF溶液或标准清洁SC-1溶液。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述SC-1溶液是氢氧化铵NH₄OH、过氧化氢H₂O₂以及水H₂O的混合物，所述HF溶液是HF和H₂O的混合溶液。

5.如权利要求3所述的方法，其中，所述HF溶液是HF与H₂O的以约1∶100比例的混合物，并且具有约2.7pH的酸度。

6.如权利要求3所述的方法，其中，所述HF溶液和所述SC-1溶液每个都具有约1cP的粘度和约2.7pH的酸度。

7.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在所述绝缘层上形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案具有开口，所述开口是通过部分地暴露出所述绝缘层的要形成接触孔的区域而形成的；

通过去除被暴露的所述绝缘层来形成暴露出所述半导体衬底的一部分的所述接触孔；

去除所述光致抗蚀剂图案；以及

执行所述清洁工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层包括二氧化硅SiO₂层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述不含表面活性剂的清洁溶液在约25℃下具有比2cP更低的粘度以及比3pH更低的酸度。

10.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体衬底上形成多个栅极线；

在所述栅极线之间形成气隙，并在具有所述气隙的结构上形成绝缘层；以及

利用具有比2cP更低的粘度以及比3pH更低的酸度的不含表面活性剂的清洁溶液来执行清洁工艺，以从所述绝缘层的表面去除残留物。

11.如权利要求10所述的方法，其中，利用湿法清洁工艺来执行所述清洁工艺。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述不含表面活性剂的清洁溶液是氢氟酸HF溶液或标准清洁SC-1溶液。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述SC-1溶液是氢氧化铵NH₄OH、过氧化氢H₂O₂以及水H₂O的混合物，所述HF溶液是HF和H₂O的混合溶液。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述HF溶液是HF与H₂O以约1∶100比例的混合物，并且具有约2.7pH的酸度。

15.如权利要求12所述的方法，其中，所述HF溶液和所述SC-1溶液每个都具有约1cP的粘度和约2.7pH的酸度。

16.如权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：

在所述绝缘层上形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案具有开口，所述开口是通过部分地暴露出所述绝缘层的将要形成接触孔的区域而形成的；

通过去除被暴露的所述绝缘层来形成暴露出所述半导体衬底的一部分的所述接触孔；

去除所述光致抗蚀剂图案；以及

执行所述清洁工艺。

17.如权利要求10所述的方法，其中，所述绝缘层包括二氧化硅SiO₂层。

18.如权利要求10所述的方法，其中，所述不含表面活性剂的清洁溶液在约25℃下具有比2cP更低的粘度以及比3pH更低的酸度。