[发明专利]一种磁场触发荧光灯的方法及运用此方法的荧光灯

说明书

技术领域

本发明涉及一种荧光灯触发技术，尤其是一种磁场触发荧光灯的方法及运用此方法的荧光灯。

背景技术

传统荧光灯是采用灯丝阴极触发的方式，长时间使用或开关次数多以后，阴极会发生氧化，同时在冷态与工作状态的转换过程中会有汞元素吸附在阴极上。从而出现灯管黑头，灯管寿命下降，也会导致光衰。无极灯使用耦合器触发，其弊端是该类触发方式效率低，使用时耦合器必须与灯管结构相匹配，耦合器元件调校偏离较大，从而导致灯管光效低、耦合器寿命短、灯管结构受限制，不能充分配光，且生产工艺控制难度大，也导致成本增加。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术存在的问题，提供一种磁场触发荧光灯的方法，不需要使用荧光灯的物理阴极，也不需要使用耦合器配合实现触发，而采用虚拟磁能达到触发效应，避免了灯丝阴极的氧化，提高荧光灯的使用寿命；也解决了耦合器制约光源物理结构和高频交流直接驱动所带来的不稳定和制程难的问题。采用的具体技术方案为：

一种磁场触发荧光灯的方法，其特征在于，具体步骤为：

电流通过驱动模块产生高频交流，生成高频正弦波，该强能量场为E₁；

交流整形模块将高频正弦波转换成线性波形，此时输入的强能量场E₁变成低位能量场为E₂；

正位场能中两种波形能量相切割，在光媒的引导下，产生一种漫磁能映射区，该映射区中的漫磁能为E₀；

E₀在光媒的指引下，形成等电位的中轴输出，并根据E₁的周期序列作为反射，进行正半周期校正，公式为：T=L*n/2（E1/m），漫磁能区E₀放射电子触发荧光灯。

优选地，在形成低位能量场E₂的同时输入脉冲源，形成能量场E₃，E₂和E₃两种场能在正位场能中发生交叉切割，其间E₃的脉冲信号使E₂的线性波发生周期性增强，此时的场能量称之为E₀，E₀冲击光媒半导体材料。

优选地，所述的光媒为半导体材料。

优选地，所述的交流整形模块为稳定器。

本发明提供的一种磁场触发荧光灯的方法的优点是：不需要使用荧光灯的物理阴极，也不需要使用耦合器配合实现触发，而采用虚拟磁能达到触发效应，避免了灯丝阴极的氧化，提高荧光灯的使用寿命；也解决了耦合器制约光源物理结构和高频交流直接驱动所带来的不稳定和制程难的问题。

本发明还提供一种运用磁场触发荧光灯的方法触发的荧光灯。

附图说明

图1为运用本发明提供的一种磁场触发荧光灯的方法的系统的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。

如图1，电流通过驱动模块产生高频交流，生成高频正弦波，该强能量场为E₁；

交流整形模块为稳定器1。由于稳定器阻抗大，将高频正弦波拉伸，形成线性波。此时输入E₁的场能量发生变化，称之为E₂。

脉冲源A2在同一时间输入到灯管，可称为E₃。E₂和E₃两种场能量发生交叉切割，其间E₃的脉冲信号使E₂的线性波发生周期性增强，强能量场E₁与增强后的低位能量场E₂在正位场能中相切割。本例中，光媒5选用半导体材料，在为半导体材料的光媒5的引导下，E₁与E₂相切割产生一种漫磁能映射区，该映射区中的漫磁能为E₀，E₀冲击半导体材料的光媒5。此时E₀由于是受脉冲源A2的作用形成，微型电子发射器4发射的电子广泛分布在光媒5区域。