[发明专利]一种基于Intel-Brickland-EX平台的内存纠错方法无效

专利信息
申请号: 201210452828.1 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN102968355A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 李博乐;林楷智 申请(专利权)人: 浪潮电子信息产业股份有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250014 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 intel brickland ex 平台 内存 纠错 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及计算机应用技术领域, 具体地说是一种基于Intel-Brickland-EX平台的内存纠错方法。

背景技术

在现代服务器的应用中,系统的可靠性和稳定性受到越来越多的重视,尤其在金融业,银行,军工,科研等领域,用户对系统的稳定性更是有着非常苛刻的要求。

众所周知,最传统的内存纠错方法是通过额外的奇偶检验码对数据进行奇偶判断,从而得知数据结果的正确与否;再后来的内存支持更为先进的ECC纠错技术,可以使用较少而外校验码对数据进行真正意义上的纠错;但是ECC技术只能纠正1个bit数据发生的错误。

发明内容

本发明的目的是提供一种加强磁盘阵列可靠性的方法。

本发明的目的是按以下方式实现的,基于ECC纠错技术,在内存DRAM的ECC校验颗粒中预留16bit做为备份单元,并随时准备对出错的DRAM颗粒进行备份的方式可同时纠正来自两个不同DRAM颗粒的数据错误,提升2倍的纠错效率;同时降低cache line的传输带宽,降低了50%内存出错的概率,大幅提高系统的可靠性和稳定性。将这样的想法投入产品设计生产中去,势必会带来非常高的实用价值和商业价值

纠错步骤如下:

1)通过BIOS设置,将CPU cache line拆为两半,以降低内存通道总线带宽,提高系统可靠性

2)在内存中划分出16bit做备份的地址单元;

3)通过BIOS监控内存报错情况,并设置纠错策略,如果单DRAM报错,则利用普通的ECC机制进行校验;

4)如果同时两个DRAM报错,则首先将发生错误的DRAM颗粒的地址和数据全部拷贝至16bit备份单元中,并弃用此故障DRAM颗粒,然后利用普通的ECC机制修正第二个DRAM错误。

 本发明的有益效果是:基于Intel Brickland-EX平台的高效高可靠的内存纠错方法是基于ECC纠错技术,在内存DRAM的ECC校验颗粒中预留16bit做为备份单元,并随时准备对出错的DRAM颗粒进行备份的方式可同时纠正来自两个不同DRAM颗粒的数据错误,提升2倍的纠错效率;同时降低cache line的传输带宽,降低了50%内存出错的概率,大幅提高系统的可靠性和稳定性。将这样的想法投入产品设计生产中去,势必会带来非常高的实用价值和商业价值。

附图说明

 图1是拆分后的cache line结构示意图;

图2是同时纠错两个DRAM错误的流程图。

具体实施方式

参照说明书附图对本发明的方法作以下详细地说明。

本发明的一种基于Intel Brickland-EX平台的高效高可靠的内存纠错方法,是将CPU cache line拆为两半,降低内存通道总线带宽,并在内存DRAM的ECC校验颗粒中预留16bit做为备份单元,替换发生错误的DRAM颗粒,再利用ECC机理处理来自第二个DRAM颗粒错误, CPU通过Memory Buffer将完整的cache line拆分为二:在内存DRAM的ECC校验颗粒中预留16bit做为备份单元,并随时准备对出错的DRAM颗粒进行备份的方式可同时纠正来自两个不同DRAM颗粒的数据错误,提升2倍的纠错效率;可降低50%内存出错的概率;同时降低cache line的传输带宽,降低了50%内存出错的概率,大幅提高系统的可靠性和稳定性。

除说明书所述的技术特征外,均为本专业技术人员的已知技术。

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