[发明专利]一种阵列式激光器无效
| 申请号： | 201210453447.5 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103812006A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 耿振民 | 申请（专利权）人： | 无锡华御信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陈丽燕 |
| 地址： | 214081 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种阵式激光器，包括激光器外延片n面结构区、p面结构区、有源区、二维光子晶体分布区、p面电流注入区、n面电极、p面电极，二维光子晶体分布区是由半导体材料上的孔型光子晶体结构构成，该光子晶体结构作为线阵式激光器的模式选择区和横向光的隔离区；其特征在于：所述孔中采用具有绝缘性质液体材料填充，所述液体材料的折射率与形成所述光子晶体的材料的折射率差在0.5-1.6之间；二维光子晶体区孔洞刻蚀深度为0.9-1.1.1微米；输出波长范围在0.8微米至2.0微米范围内；二维光子晶体结构分布区的宽度为d1，电流注入区的宽度为d2，d2/d1为2-8。
2.如权利要求1所述的激光器，d1为8-45微米。
3.如权利要求1所述的激光器，d2为15-200微米。
4.如权利要求1所述的激光器，所述半导体芯片材料为InGaAsP/InP材料、GaAs/AlGaAs材料或GaN/AlGaN材料。
5.如权利要求1所述的激光器，所述孔为圆形、六边形、四方形或三角形。
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