[发明专利]一种高耐磨的人造金刚石片状触媒合成工艺有效
申请号: | 201210453506.9 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN102921350A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 贺美珍 | 申请(专利权)人: | 湖南宁乡金鑫超硬材料厂 |
主分类号: | B01J3/06 | 分类号: | B01J3/06 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 邓建辉 |
地址: | 410618 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐磨 人造 金刚石 片状 触媒 合成 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种人造金刚石合成工艺,特别是涉及一种高耐磨的人造金刚石片状触媒合成工艺。
背景技术
片状触媒合成金刚石,近年受到粉末法的强烈冲击,尽管如此,国内高端料仍需进口,由于片状料具备粉末料不及之优势,在中粗粒度范围内仍替代部分进口,但是长期以来,行业存在着对片状工艺基础理论认识不足,设备控制精度低等问题,同时片状工艺存在着先天的不足于粉末工艺之处,是受原材料形态限制,不能无限扩大腔体,这决定了片状工艺料存在着粒度细,强度低,工具寿命短的问题,其根源在于单晶内存在较大应力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种金刚石粒度增粗、透明度高、棱角锋利和磁化率低的高耐磨的人造金刚石片状触媒合成工艺。
为了解决上述技术问题,本发明提供的高耐磨的人造金刚石片状触媒合成工艺,包括腔体轴向对应的两个加热锤和径向对应的4个非加热锤,其特征是:两个所述的加热锤的α角均为42°,4个所述的非加热锤的A-A面为40°30′,B-B面为41°30′,即4个所述的非加热锤之间以41°30′相邻,两个所述的加热锤与4个所述的非加热锤之间以42°-40°30′相邻。
作为本发明的进一步改进,改进设备的控制精度,压强精度±0.1MPa,温度精度±30℃。
采用上述技术方案的高耐磨的人造金刚石片状触媒合成工艺,改进之后,随着合成时间延长,金刚石粒度增粗,透明度高,棱角锋利,磁化率低。传统工艺,合成时间20分钟达到最佳,40/45峰值偏向45/50,再延长时间粒度不增粗,质量有所下降,改进之后,25分钟加热,峰值偏向35/40。证明腔体内温度-压力场得到了改善,所延长的时间为有效的合成时间,取得了预期效果。
本发明在可行的最大腔体腔体的压机上,采用本发明提供的传压方式,高精度控制系统,25分钟的合成工艺,成功批量生产出35#到60#优质金刚石,体现出显著高于粉末料的耐磨性。
综上所述,本发明是一种金刚石粒度增粗、透明度高、棱角锋利和磁化率低的高耐磨的人造金刚石片状触媒合成工艺。
附图说明
图1是金属—碳的P-T相图。
图2是六面顶受力示意图。
图3是两面顶受力示意图。
图4是存在压力梯度时生长点这变化示意图。
图5是本发明的加热锤的主视图。
图6是本发明的非加热锤的俯视图。
图7是片状工艺金刚石合成腔体。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
在金属—碳的P-T相图中,如图1,I线为金属—C互熔线,II线为石墨—金刚石相平衡线I-II之间的“V“形区中,III区为优晶区,低温低压,适合生长优质金刚石。IV区为富晶区,晶体生长速成度较快,夹杂物较多,粒度变细,V区为磨料级金刚石生成区,成核很多,生长快,结构不完整,形态不规则,粒度细。
由于优晶区位于“V”形区最下端,偏向II极易熔蚀,应力急剧增加,偏向I线,排杂不完全,甚至由于驱动力不足以至停止生长,范围很窄,要求:
1、设备能对P、T精确控制,
2、最大限度降低腔体内的压力梯度和温度梯度。
实施措施2是受国外两面顶压机的启发,图2是六面顶受力示意图,X,Y,Z三个方向的受力均指向几何中心,图3是两面顶受力示意图,轴向指向几何中心,径向辐射远离几何中心,图2的受力方式制约了传压介质的传压性,密实到一定程度时会形成“拱形,不利于径向传压,随着时间延长和补压次数增多,在腔体内产生越来越大的压力梯度,无论粉末工艺还是片状工艺,都要求轴向施压大于径向施压,如果六个顶锤形状都一样,最终的行程是受限的,不利于轴向传压。高压腔内,稳定的压力场是稳定的温度场之前提,当压力场形成较大梯度时,腔体的P-T值会移动,如图4“AB”线所示,不符合优质金刚石生长条件。
两面顶的受力方式,取决于模具在轴向和径向的形态不同,轴向施力径向受力,行程不受限制,可以长时间建立稳定的压力场。
本发明采用的高耐磨的人造金刚石片状触媒合成工艺如下:
1、改进设备的控制精度,压强精度±0.1MP a,温度精度±30℃;
2、改变轴向和径向顶锤的角度α角,α角越小,传压性越差,反之越好,如果轴向和径向同时加大,无疑对传压有好处,但会改变传压介质形成溢流边之形状。急剧降低腔体的密封性能,经过多次试验,改进如下:
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