[发明专利]一种钨插塞与金属布线的制作方法

权利要求书

1.一种钨插塞与金属布线的制作方法，包括步骤：钨插塞制作工艺、金属布线制作工艺以及光刻胶去除工艺，所述钨插塞制作工艺是在半导体衬底上制作接触孔并填充形成钨插塞，所述金属布线制作工艺将所述接触孔通过金属布线覆盖，使得位于接触孔下方的半导体衬底与位于接触孔上方的该金属布线通过钨插塞相连接，所述光刻胶去除工艺是将残余在金属布线上的光刻胶去除，其特征在于：所述去除光刻胶工艺包括步骤：

干法去胶，利用等离子体对光刻胶进行轰击；

水蒸气烘烤，将上述干法去胶过程中积累在金属布线和接触孔中的电荷进行释放；

湿法去胶，利用清洗液去除剩余光刻胶。

2.如权利要求1所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述水蒸汽烘烤采用干法去胶工艺中使用的等离子体反应腔体。

3.如权利要求1所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述水蒸汽烘烤采用100摄氏度以上的水蒸汽，烘烤时间为30秒至60秒。

4.如权利要求1所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述钨插塞制作工艺包括步骤：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上沉积第一介质层和第二介质层；

在该第一介质层和第二介质层中形成接触孔；

在该接触孔中沉积钨，形成钨插塞。

5.如权利要求4所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述第一介质层为低k材料或超低k材料。

6.如权利要求4所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述第二介质层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。

7.如权利要求4所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述钨插塞制作工艺还包括步骤在接触孔形成以后，在该具有接触孔图形的衬底表面沉积一层阻挡层。

8.如权利要求7所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述阻挡层为钛和氮化钛的复合层。

9.如权利要求1所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述金属布线制作工艺包括步骤：

在制作完钨插塞的半导体衬底上沉积一层金属层；

在该金属层上旋涂一层光刻胶；

对所述光刻胶进行图形化工艺，使该光刻胶形成金属布线所需的图形；

以光刻胶上的图形为掩模，对金属层进行刻蚀，将光刻胶上的图形转移到金属层上，形成金属布线。

10.如权利要求9所述的钨插塞与金属布线的制作方法，其特征在于：所述金属层为铝、铜、银或镍中的一种。