[发明专利]带隙基准源的启动电路

权利要求书

1.一种带隙基准源的启动电路，其特征在于，启动电路包括：

由第一PMOS管和第二PMOS管组成的对称的差分对管，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极连接在一起并和第一电流源连接；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的漏极接地，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极；

第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的漏极连接电源；

连接成二极管的第一PNP三极管，所述第一PNP三极管的发射极连接所述第二NMOS管的源极，所述第一PNP三极管的基极和集电极都接地；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极和漏极都连接所述第一NMOS管的源极；所述第三NMOS管的源极和带隙基准源相连并通过所述第三NMOS管的源极为所述带隙基准源的主体电路提供启动电压；

所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极接入一对由所述带隙基准源的主体电路提供的控制信号，当所述带隙基准源的主体电路正常工作时，所述第二PMOS管的栅极电压大于所述第一PMOS管的栅极电压，所述第一电流源的电流通过所述第一PMOS管和所述第三PMOS管泄放到地，所述第二PMOS管截止；当所述带隙基准源的主体电路未启动时，所述第二PMOS管的栅极电压等于所述第一PMOS管的栅极电压，所述第三PMOS管截止，所述第一电流源的电流通过所述第二PMOS管流入到所述启动电路中。

2.如权利要求1所述的带隙基准源的启动电路，其特征在于：带隙基准源的主体电路包括：

第二PNP三极管和第三PNP三极管，所述第三PNP三极管发射极面积为所述第二PNP三极管发射极面积的M倍，M大于1；所述第二PNP三极管和所述第三PNP三极管的基极和集电极都接地；

第四PMOS管和第五PMOS管，所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的源极都连接电源，所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的栅极连接在一起，所述第四PMOS管的漏极连接所述第二PNP三极管的发射极，所述第五PMOS管的漏极和第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端和所述第三PNP三极管的发射极相连；

运算放大器，所述运算放大器的第一输入端连接所述第二PNP三极管的发射极，所述运算放大器的第二输入端连接所述第一电阻的第一端；所述运算放大器的输出端相连所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的栅极；

所述启动电路的所述第三NMOS管的源极连接所述第二PNP三极管的发射极；

所述启动电路的所述第一PMOS管的栅极连接所述第一电阻的第二端，所述第二PMOS管的栅极连接所述第一电阻的第一端。

3.如权利要求2所述的带隙基准源的启动电路，其特征在于，所述带隙基准源的主体电路还包括：

第二电阻，连接于第二PNP三极管的发射极和地之间；

第三电阻，连接于所述第一电阻的第一端和地之间；

第六PMOS管，其源极和电源相连，所述第六PMOS管的栅极和所述第四PMOS管和栅极相连，所述第六PMOS管的漏极通过第四电阻接地，所述第六PMOS管的漏极为基准电压的输出端。