[发明专利]阵列基板、阵列基板制备方法及显示器件

权利要求书

1.一种阵列基板，包括形成在基板上的TFT和设置在基板上的像素区域，所述像素区域对应设置有栅绝缘层，其特征在于，所述栅绝缘层的一侧表面上交替排列设置第一像素电极和第一公共电极，所述栅绝缘层的另一侧表面上交替排列设置第二公共电极和第二像素电极，位于不同面上的所述第一像素电极和第二公共电极上下对应设置，位于不同面上的所述第一公共电极和第二像素电极上下对应设置；其中，像素电极与公共电极极性相反。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层两端边缘处分别设置有像素电极连接线和公共电极连接线。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极连接线和所述公共电极连接线上分别设有过孔，设置在所述栅绝缘层不同面上且极性相同的像素电极通过过孔相导通，设置在所述栅绝缘层不同面上且极性相同的公共电极通过过孔相导通。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层同一面上的像素电极和公共电极的面积相等，其中一面上电极的面积大于另一面上电极的面积。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，面积较小的电极对应设置在面积较大的电极的中部。

6.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括以下过程：

在基板上形成TFT以及像素区域，所述像素区域对应形成有栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层的一侧表面上交替排列形成第一像素电极和第一公共电极，所述栅绝缘层的另一侧表面上交替排列形成第二公共电极和第二像素电极，位于不同面上的所述第一像素电极和第二公共电极上下对应设置，位于不同面上的所述第一公共电极和第二像素电极上下对应设置；其中，像素电极与公共电极极性相反。

7.根据权利要求6所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在所述栅绝缘层两端边缘处分别形成有像素电极连接线和公共电极连接线，所述像素电极连接线和所述公共电极连接线上分别设有过孔，所述栅绝缘层不同面上且极性相同的像素电极通过过孔相导通，所述栅绝缘层不同面上且极性相同的公共电极通过过孔相导通。

8.根据权利要求6所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述栅绝缘层同一面上的像素电极和公共电极的面积相等，其中一面上电极的面积大于另一面上电极的面积。

9.根据权利要求8所述的阵列基板制备方法，其特征在于，面积较小的电极对应设置在面积较大的电极的中部。

10.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件包括权利要求1-5任一项所述阵列基板或权利要求6-9任一项所述阵列基板制备方法所制备的阵列基板。