[发明专利]离子注入方法及离子注入机

权利要求书

1.一种离子注入机，包括离子源系统(1)、真空系统(4)、引出系统(2)和设置有靶片(19)的靶室(18)，所述真空系统(4)为所述的离子源系统(1)、所述的引出系统(2)及靶室(18)提供真空条件，其特征在于：

所述的离子源系统(1)包括放电室(12)和天线(11)，由RF电源驱动，天线(11)设置在所述放电室(12)顶部外，所述的放电室由石英制成；

所述引出系统(2)包括引出缝(13)和引出电极，离子源产生的离子束经由所述的引出缝(13)引出后，由引出电极引入所述的靶室(18)，所述的引出系统中离子束经过的通道，由硅材料制成或镶嵌硅材料制成的部件；

所述靶片(9)能在所述靶室(18)内在垂直于所述的引出缝(13)的长度方向上移动，所述天线(11)沿着所述引出缝(13)的长度方向设置。

2.如权利要求1所述的离子注入机，其特征在于，由所述的引出电极引出的所述离子束，经由真空室进入到所述的靶室(18)内，所述的引出缝设置在所述的放电室的底部，所述的引出电极设置在所述的真空室的顶部内，并与所述的引出缝相连通。

3.如权利要求1或2所述的离子注入机，其特征在于，在所述的真空室与所述的靶室(18)间设置有阀门。

4.如权利要求1或2所述的离子注入机，其特征在于，所述的引出电极由抑制电极和地电极组成。

5.一种离子注入机，包括设置有放电室的离子源，其特征在于，所述的放电室的材质为与靶片材质元素相同的元素的氧化物。

6.如权利要求5所述的一种离子注入机，其特征在于，所述靶片的材质为硅，所述放电室的材质为石英。

7.一种离子注入机，包括设置有放电室的离子源和引出系统，其特征在于，所述引出系统中离子束经过的通道，由与所述靶片同材质的材料制成，或镶嵌有与所述靶片同材质的材料制成的部件。

8.如权利要求7所述的一种离子注入机，其特征在于，所述靶片的材质为硅，所述离子束经过的通道由硅材料制成，或镶嵌有硅材料制成的部件。

9.一种离子注入机，包括设置有放电室的离子源和引出系统，其特征在于，所述的放电室的材质为与靶片材质元素相同的元素的氧化物，所述引出系统中离子束经过的通道，由与所述靶片同材质的材料制成，或镶嵌有与所述靶片同材质的材料制成的部件。

10.如权利要求9所述的一种离子注入机，其特征在于，所述靶片的材质为硅，所述放电室的材质为石英，所述离子束经过的通道由硅材料制成，或镶嵌有硅材料制成的部件。

11.一种离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)、由离子源系统产生无金属杂质的离子束；

2)、由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室(18)；

3)、离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。

12.如权利要求11所述的一种离子注入方法，其特征在于，由放电室为石英材质的离子源系统产生所述的无金属杂质的离子束，由引出通道镶嵌有硅材质或由硅材质制成的引出系统将所述的无金属杂质的离子束引入所述的靶室(18)。

13.如权利要求12所述的一种离子注入方法，其特征在于，所述的靶片在垂直于所述的无金属杂质的离子束的方向上移动。

14.如权利要求12所述的一种离子注入方法，其特征在于，所述的引出通道为所述的引出缝。