[发明专利]一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺无效
| 申请号： | 201210454858.6 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102931280A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 黄仑;侯泽荣;卢春晖;王金伟;蒋志强 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B31/06 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 扩散 发射极 化工 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于它包括以下步骤：
(1)将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管，炉管温度在10min内加热至750-810℃，同时通入氮气流量5-8slm，持续3min；
(2)通入氮气流量3-7slm，氧气流量400-600sccm，氮气携带三氯氧磷气体流量1300-1700sccm,持续10-16min；
(3)以5℃每分钟的速率升高炉管温度至840-850℃，同时通入氮气流量为10-15slm；
(4)保持温度在820-850℃，通入氧气流量为3-5slm，持续10-16min；
(5)通入氮气流量为15-20slm，降温至780℃，即制得扩散结。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于步骤(1)中炉管内温度加热至800℃。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于步骤(2)中通入氮气流量为5slm,氧气流量600sccm,氮气携带的三氯氧磷气体流量为1400sccm。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于步骤(5)中温度恒定在840℃。通入氧气流量为4slm，持续时间为15min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司，未经东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210454858.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多定时超前和载波聚合
- 下一篇：用于空间控制的景物照明的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
