[发明专利]一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜在审
申请号: | 201210455094.2 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN102931242A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 侯泽荣;黄仑;卢春晖;王金伟;徐建 | 申请(专利权)人: | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 夏平 |
地址: | 214203 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 多层 二氧化硅 减反射膜 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术,具体说是一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜。
背景技术
太阳能电池片是太阳能发电系统中最重要的一个单元,太阳能电池片的性能好坏直接影响太阳能发电系统的发电效率。为了提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率,应减少电池表面光的反射损失,增加光的透射。一般采用在太阳能电池片镀上减反射膜,单层减反射膜材料都很难达到很好的减反射效果,因此现有的太阳能电池的光电转换效率还是很低,如何进一步降低减反射率成为研究的热点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜,其特征是,包括沉积在硅基衬底上的至少三层二氧化硅薄膜,所述的各层氧化硅薄膜的折射率从下往上依次减小,且顶层折射率小于2。
所述二氧化硅薄膜共三层,包括沉积在硅基衬底表面的折射率为2.2-2.3的致密层二氧化硅薄膜,沉积在致密层二氧化硅薄膜上的折射率为2-2.1的中间层二氧化硅薄膜,沉积在中间层二氧化硅薄膜上的折射率为1.9-2的稀疏层二氧化硅薄膜。
所述的三层二氧化硅薄膜的厚度之和为70-80nm。
所述的致密层二氧化硅薄膜、中间层二氧化硅薄膜、稀疏层二氧化硅薄膜的厚度比为1:2:4。
所述硅基衬底选自准单晶衬底、多晶衬底中的一种。
本发明的有益效果:与现有技术相比,本发明在硅片衬底上沉积三层反射率和厚度均不同的二氧化硅膜,提高了电池片的体钝化效果,降低了减反射膜对光的反射率,从而提高太阳能电池的转换效率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图中:1、硅片,2、致密层二氧化硅膜,3、中间层二氧化硅膜,4、稀疏层二氧化硅膜。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
如图1所述。
一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜,包括沉积在硅基衬底1上从下至上依次设有致密层二氧化硅薄膜2、中间层二氧化硅薄膜3和稀疏层二氧化硅薄膜4,所述的稀疏层二氧化硅薄膜4的折射率小于2。致密层二氧化硅薄膜2的折射率为2.2-2.3,致密层二氧化硅薄膜2的厚度为10-12nm;中间层二氧化硅薄膜3的折射率为2-2.1,中间层二氧化硅薄膜3的厚度为20-24nm;稀疏层二氧化硅薄膜4折射率为1.9-2,稀疏层二氧化硅薄膜4厚度的厚度为40-46nm。所述的三层二氧化硅薄膜的厚度之和为70-80nm。所述硅基衬底1选自准单晶衬底、多晶衬底中的一种。
本发明有效地提高了镀膜的钝化效果,提高了减反射膜的减反射作用,增强了减反射膜的钝化效果,提高了太阳能电池的光电转换效率。
上述实施例阐明的内容应当理解为这些实施例仅用于更清楚地说明本发明,而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请公开的权利要求所限定的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的