[发明专利]单晶硅片的制绒液及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种新型单晶硅片制绒液及其制备方法。

背景技术

太阳能硅片目前在机械切割成片后会在表面留下机械损伤，同时会留有部分切割造成的油污及金属杂质，这些机械损伤将导致电池漏电大，脏污影响电池外观。制绒的目的即是去除硅片上的机械损伤层，使硅片表面构化均匀，形成金字塔结构，该结构的陷光作用可以降低光在硅片表面的反射率，增加硅片对光能的吸收，提高短路电流，最终提高电池的光电转化效率。

目前，工业化生产中的制绒液由IPA、NaOH、去离子水等组成。这种制绒液的制绒效果较差，表面构化不理想，形成金字塔大且不均匀，外观问题也不稳定，容易形成水纹印、白斑等。新型制绒添加剂的作用即是解决以上制绒中出现的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种单晶硅片的制绒液及其制备方法，其特征在于，对于单晶硅片制绒时，将本发明的添加剂加入到碱性制绒液中，可以使金字塔大小控制在2-3微米，提升其均匀性，同时降低制绒后硅片表面出现色差、白斑等问题的机率

一种单晶硅片制绒液的添加剂，其特征在于其中包含的成分为：氢氧化钠、四甘醇和余量的水，其中所述水为去离子水。

所述四甘醇与水的体积比为1-10：30，氢氧化钠与水的重量比为1-5：80。

所述的氢氧化钠为固体粉末。

一种单晶硅片制绒液的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)将重量百分含量为0.5-3%的NaOH和10-15%的IPA溶于去离子水中，得到碱性制绒液；

(2)将权利要求1所述的添加剂加入步骤(1)的碱性制绒液中，得到制绒液，其中添加剂与制绒液的重量比为1-3：100。

所述步骤(1)中NaOH的重量百分比为2.5%，IPA的重量百分比为12%。本发明还提供一种单晶硅片制绒方法，其特征在于，将权利要求1或2中的添加剂加入碱性制绒液中，然后将单晶硅片浸泡在含有添加剂的制绒液中进行表面构化，反应温度为78-82℃，反应时间为800-1200s。

所述添加剂与制绒液的重量比为1-3：100。

所述碱性制绒液通过将重量百分含量为0.5-3%的NaOH和10-15%的IPA溶于去离子水制成。

所述碱性制绒液通过将重量百分含量为2.5%的NaOH和12%的IPA溶于去离子水中制成。

本发明的有益效果：使制绒后的硅片金字塔大小控制在2-3微米，提升其均匀性，同时降低制绒后硅片表面出现色差、白斑等问题的机率。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步描述。

实施例1。一种单晶硅片的制绒液及其制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)配置添加剂：以100ml去离子水为溶剂，将15ml四甘醇、3克氢氧化钠溶解于去离子水中；(2)配置碱性制绒液：将25克NaOH和120克异丙醇溶于去离子水中，得到1000克溶液；(3)在1000克碱性制绒液中加入重量百分含量为25克的添加剂；(4)将单晶硅片浸泡在制绒液中进行制绒，温度为80℃，时间为800s。

实施例2。一种单晶硅片的制绒液及其制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)配置添加剂：以100ml去离子水为溶剂，将5ml四甘醇、1.5克氢氧化钠溶解于去离子水中；(2)配置碱性制绒液：将5克NaOH和100克异丙醇溶于去离子水中，得到1000克溶液；(3)在1000克碱性制绒液中加入重量百分含量为10克的添加剂；(4)将单晶硅片浸泡在制绒液中进行制绒，温度为78℃，时间为1000s。

实施例3。一种单晶硅片的制绒液及其制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)配置添加剂：以100ml去离子水为溶剂，将30ml四甘醇、5克氢氧化钠溶解于去离子水中；(2)配置碱性制绒液：将15克NaOH和150克异丙醇溶于去离子水中，得到1000克溶液；(3)在1000克碱性制绒液中加入重量百分含量为30克的添加剂；(4)将单晶硅片浸泡在制绒液中进行制绒，温度为82℃，时间为1200s。