[发明专利]一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，包括如下步骤：按照电池常规工序处理方法，对硅片进行硅片清洗制绒、扩散制备PN结、刻蚀去除硅片四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃，其特征在于，然后包括以下步骤：

(1)采用热氧化方法在硅片衬底的表面生长一层二氧化硅薄膜，薄膜的折射率为1.46-1.47、厚度为15-19nm；

(2)在二氧化硅薄膜表面涂覆碱性纳米二氧化钛水溶胶，形成折射率为1.86-2.23、厚度为30-50nm的二氧化钛薄膜；

(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在二氧化钛薄膜上沉积一层折射率为2.18-2.45、厚度为40-80nm的氮化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，其特征在于所述步骤(1)的工艺温度为850-900℃，反应气体氮气流量为10-25L/min，氧气流量为5-30L/min，反应时间30-50min。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，其特征在于所述步骤(3)的工艺温度为450℃，反应气体硅烷流量为1.5-5L/min，氨气流量为5-10L/min，持续时间150s。