[发明专利]一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法

权利要求书

1.一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，其特征在于：包括锡化合物及掺杂体化合物在低沸点溶剂中的溶解、对混合物溶液体系的加热气化、气化产物与水蒸气、氧气等的混合气相产物的输送、玻璃陶瓷表面的二氧化锡薄膜的沉积。

2.如权利要求1所述的二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，其特征在于：所述的锡化合物为H₈N₂Cl₆Sn、SnC₂O₄、Sn(CH₃SO₃)₂、Sn(C₈H₁₅O₂)₂、SnC₁₆H₂₀O₈、SnC₁₆H₃₆O₄、SnC₁₆H₃₆O₄、SnC₈H₁₂O₈、SnC₁₀H₁₄Cl₂O₄等，所述的掺杂体化合物为硼、铝、镓、铟、磷、砷、锑以及过渡金属离子的化合物，所述的低沸点溶剂为乙醚、甲醇、丙酮、二氯甲烷等。

3.如权利要求2所述的锡化合物、掺杂体化合物，其特征在于：所述的掺杂体化合物的加入量与锡加入量之比以最终不改变形成的薄膜为二氧化锡相为限，所述的低沸点溶剂的加入量以锡化合物浓度为1-5 mol/L。

4.如权利要求1所述的二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，其特征在于：所述的加热气化，加热温度为80-400℃，以实现混合溶液体系的完全气化。

5.如权利要求1所述的二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，其特征在于：所述的氧气与锡及其掺杂体物质的量总和之比为2-15：1。

6.如权利要求1所述的二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，其特征在于：所述的水蒸气与锡及其掺杂体物质的量总和之比为0.01-3:1。

7.如权利要求1所述的二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，其特征在于：所述的气相产物的输送管道采用316L材质、钛材质、锆材质等，且管道由加热保温装置，以保证气相混合物不被冷凝。

8.如权利要求1所述的二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，其特征在于：所述的二氧化锡薄膜的沉积是在加热盘上进行，沉积基体玻璃、陶瓷置于加热盘上，加热盘的加热温度以保证玻璃、陶瓷等基体表面的温度达到400-950℃。