[发明专利]基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线

权利要求书

1.基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，包括基板、接地板与圆形贴片，其特征是在圆形贴片边缘均匀间隔安装4~6个S-PIN二极管，每个S-PIN二极管的P型端与圆形贴片边缘连接；N型端通过长方形微带线与扇形寄生贴片连接且N型端的宽度与长方形微带线宽度一致；所述扇形寄生贴片各开有一个U形槽；通过控制所述S-PIN二极管的偏置电压使S-PIN二极管导通或断开；顺次使相邻的S-PIN二极管导通，实现天线方向图的全向扫描。

2.根据权利要求1所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于：所述U形槽由第一条形槽、第二条形槽、第三条形槽、第四条形槽和第五条形槽顺次连接组成，U形槽关于第三条形槽的中垂线对称，其中第一条形槽与第五条形槽分别与第三条形槽垂直，第二条形槽、第四条形槽与第三条形槽的夹角相等，为110°~120 °，U形槽的开口朝向圆形贴片。

3.根据权利要求1所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于安装的S-PIN二极管包括第一金属触片、第二金属触片、硼磷硅玻璃、P型半导体块、N型半导体块、本征层、埋氧层和硅衬底；第一金属触片与第二金属触片之间有间隙，间隙中填充了硼磷硅玻璃；第一金属触片的下方与所述P型半导体块连接，用于提供空穴；第二金属触片的下方与所述N型半导体块连接，用于提供电子；P型和N型半导体块除顶面以外都被所述本征层包裹着；本征层下面紧贴着一层所述埋氧层；埋氧层下面紧贴着所述硅衬底，硅衬底处于S-PIN二极管的底部；当在第一金属触片与第二金属触片之间加上正向偏置电压后，S-PIN二极管导通，当不加偏置电压时，S-PIN二极管断开。

4.根据权利要求3所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于：第一金属触片与第二金属触片的厚度为0.8μm-1.5μm。

5.根据权利要求3所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于：第一金属触片与第二金属触片之间的间隙为50μm-100μm。

6.根据权利要求3所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于：加在两金属触片之间的偏置电压为直流稳压，电压值为2.5V-3V。

7.根据权利要求3所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于：本征层的材料为纯硅，厚度为70μm-90μm。

8.根据权利要求3所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于：埋氧层的材料是二氧化硅，厚度为2μm-3μm。

9.根据权利要求3所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于：硅衬底的材料为纯硅，厚度为200μm-400μm。

10.根据权利要求3所述的基于S-PIN二极管的方向图可重构圆盘型微带天线，其特征在于：第一金属触片、第二金属触片之间的间隙填充的硼磷硅玻璃是一种掺硼的二氧化硅玻璃，厚度为1μm-2μm。