[发明专利]一种含硅的苯并蒽类有机电致发光材料及其制备方法和应用

说明书

技术领域

本发明涉及有机光电材料领域，具体涉及一种含硅的苯并蒽类有机电致发光材料及其制备方法和应用。 

背景技术

有机电致发光显示技术与现有的液晶、等离子平板显示技术相比，具有结构简单、主动发光、高亮度、高效率、视角大、响应速度快、低压直流驱动等诸多优点。有机电致发光二极管（OLED）作为新一代平板显示技术具有极大的市场潜力和竞争力。在OLED的研究中， 材料起着决定性的作用。OLED中用到的材料主要有空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料及电子注入材料等。而发光材料是其中的主要材料。国内外很多研究机构、企业为不断提高发光材料的综合性能进行了大量的研究工作，取得了丰富的研究成果。但目前的材料性能仍不能满足OLED 对使用寿命和发光效率的要求，开发综合性能优异的发光材料一直是研究的重点。 

基于小分子的有机电致发光器件因其在全彩大屏幕显示领域的广阔应用前景，已经成为关注焦点。目前已经合成了大量共轭有机化合物，用于载流子传输层和发光层。蒽类衍生物作为极其重要的一类，在发光材料、空穴传输材料和电子传输材料各个领域均有广泛的应用，这主要得益于蒽核的高荧光量子产率以及其可修饰性。但是目前的蒽类小分子发光材料仍不能满足OLED对使用寿命和发光效率的要求。例如，9,10-二（2-萘基）蒽作为发光层制备的器件，发光效率为2.72 Lm/w，使用寿命为4000小时，是不能够满足OLED的使用要求的。 

发明内容

本发明为解决现有技术中蒽类发光材料不能够满足OLED的使用要求的技术问题，而提供了一种制备方法简单，发光效率高，寿命长，成膜性能好的一种含硅的苯并蒽类有机电致发光材料及其制备方法和应用。 

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案具体如下： 

一种含硅的苯并蒽类有机电致发光材料，该材料的具体结构通式如式（1）所示： 

式（1） 

其中，R₁、R₂各自独立地选自苯基、2-萘基、N-苯基-2-咔唑基、三芳胺基或对联苯基。 

优选本发明的含硅的苯并蒽类有机电致发光材料为： 

R₁为苯基，R₂为2-萘基； 

R₁为苯基，R₂为N-苯基-2-咔唑基； 

R₁为2-萘基，R₂为三芳胺基； 

R₁为2-萘基，R₂为N-苯基-2-咔唑基； 

R₁为苯基，R₂为三芳胺基； 

R₁为对联苯基，R₂为2-萘基。 

上述优选本发明的含硅的苯并蒽类有机电致发光材料，具体的结构式分别对应为如下001-006的化学结构式： 

以上一些就是该化合物的具体的结构形式，但是这系列化合物不局限与所列的这些化学结构。凡是以结构式（1）为基础，R₁和R₂基团分别为之前给出的具体结构的任意组合都应该包含在内。 

一种含硅的苯并蒽类有机电致发光材料的制备方法，该制备方法的具体步骤和条件如下： 

（1）按摩尔比为1：3.0~3.5称取含硅的苯并蒽类溴取代物与含R₁、R ₂取代基的胺类化合物，用溶剂溶解； 

（2）再加入叔丁醇钾、乙酸钯、三叔丁基磷，叔丁醇钾与含硅的苯并蒽类溴取代物的摩尔比为2.0~2.5：1，乙酸钯与含硅的苯并蒽类溴取代物的摩尔比为1：20~15，三叔丁基磷与含硅的苯并蒽类溴取代物的摩尔比为1：20~15； 

（3）在氮气保护条件下，反应温度为80℃~90℃，反应5~8小时； 

（4）冷却，过滤，柱层析，重结晶，干燥后，得到所述的含硅的苯并蒽类有机电致发光材料。 

本发明的有益效果是：