[发明专利]具有异质材料结构的发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有异质材料结构的发光元件的制造方法，其特征在于，包含如下步骤：

形成凹凸结构的突出部，在基板的上表面沉积具有不同于所述基板的折射率的第一蚀刻掩模材料，对沉积的所述第一蚀刻掩模材料进行蚀刻而使所述第一蚀刻掩模材料在所述基板上保留为突出的图案而形成突出部，并在保留有所述第一蚀刻掩模材料的基板的上表面沉积具有与所述基板和第一蚀刻掩模材料的折射率不同的任意折射率的第二蚀刻掩模材料，对沉积的所述第二蚀刻掩模材料进行蚀刻而使所述第二蚀刻掩模材料保留在突出部的上部，从而使具有互不相同的折射率的至少两种掩模材料在基板的上部突出，所述突出部的宽度为0.2μm～1μm，高度为0.1μm～1μm，突出部之间的相隔距离为0.05μm～1μm；

在所述基板上形成n型半导体层；

在所述n型半导体层上形成活性层；

在所述活性层上形成p型半导体层；

在所述p型半导体层上形成透明电极层；

蚀刻所述透明电极层、活性层和p型半导体层的预定区域；

在所述透明电极层上形成第一电极；以及

在所述透明电极层、活性层和p型半导体层被蚀刻而露出n型半导体层的区域形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的具有异质材料结构的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成凹凸结构，以在基板上表面保留具有不同于基板的折射率的任意折射率的第一蚀刻掩模材料的步骤之后，还包含在所述基板上形成缓冲层的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的具有异质材料结构的发光元件的制造方法，其特征在于，所述第一蚀刻掩模材料和第二蚀刻掩模材料包含从铬、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化铪、银、铝中选择的至少两种材料。