[发明专利]高效多结太阳能电池

权利要求书

1.一种光伏电池，其中包含：

至少四个亚电池，所述亚电池的至少一个具有由选自周期表中的第III族的一种或更多种元素、氮、砷和选自锑和铋的至少一种元素的合金形成的基极层；以及

所述至少四个亚电池中的每一个与其它亚电池的每一个基本晶格匹配。

2.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述至少四个亚电池中的每一个与选自Si、Ge、SiGe、GaAs和InP中的材料基本晶格匹配。

3.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述至少一个亚电池的特征为带隙选自0.7eV-1.1eV、0.8-0.9eV、0.9eV-1.0eV、0.9eV-1.3eV、1.0eV-1.1eV、1.0eV-1.2eV、1.1eV-1.2eV、1.1eV-1.4eV和1.2eV-1.4eV。

4.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述至少一个亚电池的基极层由合金Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y-zSb_z形成，其中，x、y和z的值为0≤x≤0.24、0.001≤y≤0.07和0.001≤z≤0.20。

5.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述至少一个亚电池的基极层由合金Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y-zSb_z形成，其中，x、y和z的值为0.01≤x≤0.18、0.005≤y≤0.05和0.001≤z≤0.03。

6.根据权利要求1所述的光伏电池，其中，所述至少两个亚电池具有由元素周期表的第III族的一种或更多种元素、氮、砷和选自锑和铋的至少一种元素的合金形成的基极层。

7.根据权利要求6所述的光伏电池，其中：

所述至少两个亚电池中的一个的特征为第一带隙为0.7到1.1eV；和

所述至少两个亚电池中的第二个的特征为第二带隙为0.9到1.3eV；其中，所述至少两个亚电池中的最上部的亚电池的带隙大于所述至少两个亚电池的另一个亚电池的带隙。

8.根据权利要求6所述的光伏电池，其中，所述至少两个亚电池的每一个具有由独立地选白GalnNAsSb、GaInNAsBi、GaInNAsSbBi、GaNAsSb、GaNAsBi和GaNAsSbBi的材料形成的基极层。

9.根据权利要求6所述的光伏电池，其中：

所述至少两个亚电池中的一个亚电池具有由合金Ga_l-xIn_xN_yAs_l-y-zSb_z形成的基极层，其中，x、y和z的值为0．02≤x≤0．24、0．015≤y≤0．07和0．001≤z≤0．03；和

所述至少两个亚电池中的第二个亚电池具有由合金Ga_l-xln_xN_yAs_l-y-zSb_z形成的基极层，其中，x、y和z的值为0≤x≤0．18，0．005≤y≤0．05和0．001≤z≤0．03。

10.根据权利要求1所述的光伏电池，其包括：

第一亚电池，其具有由选自Ge、SiGe(Sn)和由周期表第III族的一种或更多种元素、氮、砷与选自锑和铋的至少一种元素组成的合金中的材料形成的第一基极层，并且特征为带隙为0．7eV-1．1eV；

第二亚电池，其具有叠加在所述第一亚电池上的第二基底层，其中，所述第二基极层由选自周期表第III族的一种或更多种元素、氮、砷和选自锑和铋的至少一种元素的合金形成，且特征为带隙为0．9eV-1．3eV；

第三亚电池，其具有叠加在所述第二亚电池上的第三基极层，其中，所述第三基极层由选白GaInPAs和(Al，In)GaAs中的材料形成，且特征为带隙为1．4eV—1．7eV；和

第四亚电池，其具有叠加在所述第三亚电池上的第四基极层，其中，所述第四基极层由(A1)InGaP形成，且特征为带隙为1．9eV一2．2eV。