[发明专利]干法刻蚀均匀性优化装置及方法

权利要求书

1.一种干法刻蚀均匀性优化的装置，包括反应室，设置于所述反应室中的上电极板和下电极板，其特征在于，还包括：

等离子体密度检测装置，设置于所述反应室的中心和边缘处，用于检测所述反应室的中心和边缘处的等离子体密度；

控制装置，用于获取所述等离子体密度检测装置检测的所述反应室中心和边缘处的等离子体的密度，并在所述中心处的等离子体密度不等于所述边缘处的等离子体密度时，直接调整所述反应室的参数，以使所述中心处的等离子体密度等于所述边缘处的等离子体密度。

2.根据权利要求1所述的干法刻蚀均匀性优化的装置，其特征在于，所述上电极板的中心设置有中心通气孔，所述上电极板的边缘设有第一组边缘通气孔和第二组边缘通气孔；

所述控制装置包括质量流量控制器，用于从所述中心通气孔、第一边缘通气孔、第二边缘通气孔向所述反应室中通入气体，并且交替地控制经所述第一组边缘通气孔和第二组边缘通气孔的气体流量。

3.根据权利要求1所述的干法刻蚀均匀性优化的装置，其特征在于，所述控制装置包括升降单元，用于当所述中心处的等离子体密度大于所述边缘处的等离子体密度时，使所述上电极板沿所述反应室的内壁下降；当所述中心处的等离子体密度小于所述边缘处的等离子体密度时，使所述上电极板沿所述反应室的内壁上升。

4.根据权利要求1所述的干法刻蚀均匀性优化的装置，其特征在于，还包括设置于所述反应室内的压力传感器；

所述控制装置包括自适应压力控制器，用于获取所述压力传感器检测的气体压力；并且当所述中心处的等离子体密度大于所述边缘处的等离子体密度时，增大对所述反应室中气体的抽取量或减少所述反应室中气体的供应量，以降低所述反应室中的气体压力；当所述中心处的等离子体密度小于所述边缘处的等离子体密度时，减少对所述反应室中气体的抽取量或增大所述反应室中气体的供应量，以增大所述反应室中的气体压力。

5.一种干法刻蚀均匀性优化方法，其特征在于，包括：

在利用干法刻蚀装置反应室中等离子体对所述反应室中的基片进行刻蚀的过程中，获取所述反应室中心和边缘处的所述等离子体的密度；

当所述中心处的等离子体密度不等于所述边缘处的等离子体密度时，直接调整所述反应室的参数，以使所述中心处的等离子体密度等于所述边缘处的等离子体密度。

6.根据权利要求5所述的干法刻蚀均匀性优化方法，其特征在于，所述调整所述反应室的参数具体包括下述步骤：

当刻蚀一张基板时，通过所述质量流量控制器经所述反应室中的上电极板上的中心通气孔、第一边缘通气孔而向所述反应室通入气体，并且关闭经所述反应室中的上电极板上的第二边缘通气孔的气体流量；

获取刻蚀过程中的所述中心处和所述边缘处的等离子体密度的差异，依据所述差异调节所述第二边缘通气孔的预定流量；

当刻蚀下一张基板时，通过所述质量流量控制器经所述中心通气孔、第二边缘通气孔而通入所述气体，并且关闭经所述第一边缘通气孔的气体流量；

获取刻蚀过程中的所述中心处和所述边缘处的等离子体密度的差异，依据所述差异调节所述第一边缘通气孔的预定流量。

7.根据权利要求5所述的干法刻蚀均匀性优化方法，其特征在于，所述调整所述反应室的参数具体包括：

调整所述反应室中上电极板与下电极板之间的距离，用于当所述中心处的等离子体密度大于所述边缘处的等离子体密度时，使所述上电极板沿所述反应室的内壁下降；当所述中心处的等离子体密度小于所述边缘处的等离子体密度时，使所述上电极板沿所述反应室的内壁上升。

8.根据权利要求7所述的干法刻蚀均匀性优化方法，其特征在于，所述调整所述反应室的参数具体包括：

调整所述反应室内的气体压力，当所述中心处的等离子体密度大于所述边缘处的等离子体密度时，增大对所述反应室中气体的抽取量或减少所述反应室中气体的供应量，以降低所述反应室中的气体压力；当所述中心处的等离子体密度小于所述边缘处的等离子体密度时，减少对所述反应室中气体的抽取量或增大所述反应室中气体的供应量，以增大所述反应室中的气体压力。