[发明专利]刻蚀装置和方法有效
申请号: | 201210459115.8 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN103107113A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 奥立佛·J·安塞尔 | 申请(专利权)人: | SPTS科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01J37/32;H01J37/244 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;徐川 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 装置 方法 | ||
1.一种刻蚀整个宽度的衬底以暴露出被掩埋的特征部的方法,所述方法包括:
(a)横跨衬底的宽度刻蚀所述衬底的面,以实现材料的基本均匀的移除;
(b)在刻蚀工艺期间照亮被刻蚀的面;
(c)将边缘检测技术应用于自所述面散射或反射的光,以检测被掩埋的特征部的出现;以及
(d)响应于被掩埋的特征部的检测来调整所述刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法,其中以锐角照亮所述被刻蚀的面。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中步骤(c)包括使用镜头捕捉反射光或散射光以用于产生输出信号,并使用边缘检测器滤波器以用于自所述镜头的输出信号检测边缘的出现。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述镜头被定位为以锐角接收散射或反射的光。
5.根据权利要求3或4所述的方法,其中所述边缘检测器滤波器为索贝尔滤波器。
6.根据前述权利要求中任意一项所述的方法,其中调整所述刻蚀的步骤是停止所述刻蚀的步骤。
7.一种用于横跨衬底的宽度刻蚀所述衬底以暴露出被掩埋的特征部的刻蚀装置,所述刻蚀装置包括:
(a)用于刻蚀衬底的刻蚀室;
(b)用于衬底的支撑物,所述支撑物用于将所述衬底保持在基本水平的位置,并使要刻蚀的面暴露出来;
(c)用于照亮所述面的照明源,所述照明源相对于所述支撑物以锐角安装;
(d)用于以锐角捕捉自所述面散射或反射的光的镜头;
(e)与所述镜头配合的边缘检测器,所述边缘检测器用于检测所述面上的至少一个边缘的出现;以及
(f)用于控制所述室的刻蚀操作并响应于边缘的检测停止所述刻蚀的控制器。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述边缘检测器包括索贝尔滤波器。
9.一种刻蚀整个宽度的衬底以暴露出被掩埋的特征部的端部的方法,所述方法包括:
(a)横跨衬底的宽度刻蚀所述衬底的面,以实现材料的基本均匀的移除;
(b)在刻蚀工艺期间照亮被刻蚀的所述面;
(c)检测由自所述面散射或反射的光所呈现的所述面的图像中的非均质性,以检测所述被掩埋的特征部的暴露;以及
(d)响应于被掩埋的特征部的检测来调整所述刻蚀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造