[发明专利]光电转换装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置，包括：

在支撑衬底上形成的绝缘层；

在所述绝缘层上形成的第一电极；

在所述第一电极上形成的第一杂质半导体层；

在所述第一杂质半导体层上形成的单晶半导体层；

在所述单晶半导体层上形成的非晶半导体层；

在所述非晶半导体层上形成的第二杂质半导体层；以及

在所述第二杂质半导体层上形成的第二电极。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述单晶半导体层的厚度为0.1μm以上且10μm以下。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括在所述第二杂质半导体层上形成的导电簇。

4.一种光电转换装置，包括：

在支撑衬底上形成的绝缘层；

在所述绝缘层上形成的第一电极；

在所述第一电极上形成的第一杂质半导体层；

在所述第一杂质半导体层上形成的单晶半导体层；

在所述单晶半导体层上形成的第二杂质半导体层；

在所述第一杂质半导体层上形成的第三杂质半导体层；

在所述第三杂质半导体层上形成的第一非晶半导体层；

在所述第一非晶半导体层上形成的第四杂质半导体层；

在所述第四杂质半导体层上形成的第五杂质半导体层；

在所述第五杂质半导体层上形成的第二非晶半导体层；

在所述第二非晶半导体层上形成的第六杂质半导体层；以及

在所述第六杂质半导体层上形成的第二电极。

5.根据权利要求4所述的光电转换装置，其中所述单晶半导体层的厚度为0.1μm以上且10μm以下。

6.根据权利要求4所述的光电转换装置，其中所述单晶半导体层为单晶硅，并且所述第一非晶半导体层和所述第二非晶半导体层为非晶硅。

7.根据权利要求4所述的光电转换装置，还包括在所述第二杂质半导体层上形成的导电簇。