[发明专利]一种快速生长掺杂Bi4Ge3O12(BGO)晶体的技术方法无效
| 申请号： | 201210459702.7 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102995107A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 俞平胜 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | C30B13/22 | 分类号： | C30B13/22;C30B13/08;C30B29/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224051 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 生长 掺杂 bi sub ge 12 bgo 晶体 技术 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种快速生长掺杂Bi4Ge3O12(BGO)晶体的技术方法，其特征在于应用光浮区法在惰性气氛下生长掺杂BGO晶体。
2.根据权利要求1所述的技术方法，其生长气氛可以是氩气、氮气等；
根据权利要求1所述的生长方法，其保护气流量为0.4~0.6L/min；
根据权利要求1所述的生长方法，其生长速度范围为10.00~13.00mm/h；
根据权利要求1所述的生长方法，其送棒速度范围为1.00~2.50mm/h。
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