[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201210459963.9 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103177765A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 金道映 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周晓雨;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体存储器件，包括：
存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储块，其中，所述存储块中的每个具有页，每个页包括存储器单元；以及
外围电路，所述外围电路被配置成将所述存储器单元编程到目标编程状态，
其中，所述外围电路通过施加逐步增加第一增量值的编程电压而将所述存储器单元编程到临时编程状态，然后通过施加逐步增加第二增量值的编程电压而将所述存储器单元编程到所述目标编程状态。
2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二增量值比所述第一增量值小。
3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述临时编程状态分别对应于所述目标编程状态。
4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，对应于所述临时编程状态的第一验证电压与对应于所述目标编程状态的第二验证电压之间的间隔基于在第二编程步骤中施加的逐步增加的编程电压的数目来确定。
5.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，对应于所述临时编程状态的第一验证电压与对应于所述目标编程状态的第二验证电压之间的间隔基于编程速率来改变。
6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述存储块中的每个的页在第一编程步骤中被编程到所述临时编程状态，然后在第二编程步骤中被编程到所述目标编程状态。
7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述临时编程状态的数目与所述目标编程状态的数目相等。
8.一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：
在第一编程步骤中，通过施加逐步增加第一增量值的编程电压而将存储器单元编程到临时编程状态；以及
在第二编程步骤中，通过施加逐步增加第二增量值的编程电压而将所述存储器单元编程到目标编程状态。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第二增量值比所述第一增量值小。
10.如权利要求8所述的方法，其中，所述临时编程状态的数目与所述目标编程状态的数目相等。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述临时编程状态分别对应于所述目标编程状态。
12.如权利要求11所述的方法，其中，对应于所述临时编程状态的第一验证电压与对应于所述目标编程状态的第二验证电压之间的间隔根据在所述第二编程步骤中施加的逐步增加的编程电压的数目来确定。
13.如权利要求11所述的方法，其中，对应于所述临时编程状态的第一验证电压与对应于所述目标编程状态的第二验证电压之间的间隔基于编程速率来改变。
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